據(jù)韓媒報道，韓國芯片巨頭SK海力士準(zhǔn)備打破美國對華極紫外（EUV）光刻機出口相關(guān)限制，對其中國半導(dǎo)體工廠進行技術(shù)提升改造。這被外界解讀為，隨著半導(dǎo)體市場的復(fù)蘇以及中國高性能半導(dǎo)體制造能力提升，一些韓國芯片企業(yè)準(zhǔn)備采取一切可以使用的方法來提高在華工廠制造工藝水平。
韓國《首爾經(jīng)濟》13日的報道援引韓國業(yè)內(nèi)人士的話稱，SK海力士計劃今年將其中國無錫工廠的部分動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）生產(chǎn)設(shè)備提升至第四代10納米工藝。對于“無錫工廠將技術(shù)升級”的消息，SK海力士方面表示“無法確認工廠的具體運營計劃”。無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地，產(chǎn)量約占其DRAM總產(chǎn)量的40%。目前，無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10納米DRAM。報道認為，SK海力士對無錫工廠進行技術(shù)升級并不容易，因為美國為阻止中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起，從2019年開始單方面限制制造尖端半導(dǎo)體必需的EUV光刻機出口中國。
報道稱，隨著全球半導(dǎo)體市場進入復(fù)蘇，SK海力士認為高性能芯片產(chǎn)能擴張已經(jīng)刻不容緩，需要10納米級第四代DRAM或更高版本產(chǎn)品來維持其市場份額。SK海力士總裁郭魯正出席CES展會時表示：“我們自去年以來就地緣政治問題組建了內(nèi)部工作組，相信企業(yè)風(fēng)險由此得到很大程度的緩解。”
中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)水平迅速提升引發(fā)韓媒高度關(guān)注。韓聯(lián)社12日稱，投資銀行巴克萊的分析師在一份報告中稱，中國半導(dǎo)體制造商比外界所認為的要“多得多”。瑞銀集團近期的一份報告稱，雖然美國正用各種方式阻止中國半導(dǎo)體崛起，但中國克服這些限制的能力不容小覷。中國企業(yè)正在加強對主要半導(dǎo)體制造設(shè)備的采購以增加供應(yīng)。去年包括荷蘭阿斯麥集團在內(nèi)的國際半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)商來自中國的訂單激增。
【來源：財聯(lián)社】
