【ITBEAR科技資訊】2月5日消息，三星在固態電路技術的前沿再次邁出堅定步伐。據悉，三星計劃在即將到來的2024年IEEE國際固態電路峰會上，向全球展示其多款尖端內存產品，其中不乏此前已引發業內關注的GDDR7內存。
除了GDDR7外，三星還將帶來一款突破性的DDR5內存芯片。這款芯片采用了先進的12納米級工藝技術，實現了在相同封裝尺寸下，容量達到16Gb DDR5 DRAM的兩倍，即32Gb。這一創新不僅優化了內存結構，更預示著未來內存技術的新方向。
據ITBEAR科技資訊了解，這款DDR5內存的I/O速度令人印象深刻，每個引腳高達8000Mbps。其設計基于三星第五代10nm級晶圓代工節點的Symmetric-Mosaic架構，這一架構是專門為DRAM產品量身定制的，以優化性能和效率。
三星電子內存產品和技術執行副總裁SangJoon Hwang在談及這款新產品時表示：“通過我們的12nm級32Gb DRAM，我們已經找到了實現高達1TB DRAM模塊的解決方案。這使我們能夠滿足人工智能和大數據時代對高容量DRAM的迫切需求。我們將繼續推動工藝和設計技術的創新，以突破內存技術的極限。”
以往使用16Gb DRAM制造的DDR5 128GB模塊需要依賴硅通孔(TSV)工藝。然而，三星的新32Gb DRAM無需TSV工藝即可生產128GB模塊，這不僅簡化了生產過程，更使得功耗降低了約10%。對于正在努力應對人工智能不斷增長能源需求的數據中心來說，這無疑是一個重要的進步。
此外，三星的最新DDR5技術還支持在單通道配置下以DDR5-8000速度構建32GB和48GB DIMM，同時在雙通道配置下支持64GB和96GB DIMM。這一靈活性使得該技術能夠適應多種不同的應用場景和需求。
