【ITBEAR科技資訊】2月17日消息，美國晶圓廠建設速度落后，而中國大陸正在迅速迎頭趕上，這是根據喬治城大學沃爾什外交學院智庫CSET(安全和新興技術中心)最新報告所揭示的趨勢。
全球自19世紀90年代以來共新建了635座晶圓廠，平均耗時682天。日本以584天的建設速度位列榜首，緊接著是韓國(620天)、中國臺灣(654天)、歐洲和中東(690天)以及中國大陸(701天)。而美國則需要長達736天，這一數字僅略好于東南亞的781天。
若按不同時間段劃分，美國的情況更為嚴峻。在1990年代和2000年代，美國平均只需675天即可完成晶圓廠建設。然而，到了2010年代，這一時間延長至918天。與此同時，中國大陸和中國臺灣則分別將建設時間縮短至675天和642天。
進入2020年代，美國晶圓廠建設面臨更多挑戰，常常無法按預定計劃完工。例如，臺積電位于亞利桑那州的Fab 21項目推遲了一年，Intel位于俄亥俄州的工廠則從2025年延期至2026年底，三星位于得克薩斯州的工廠也推遲到了2025年。
在數量方面，美國也呈現快速下滑趨勢。1990年代新建了55座晶圓廠，2000年代減少至43座，而到了2010年代則僅新建了22座，總計120座。相比之下，同期中國大陸分別新建了14座、75座和95座晶圓廠，總計184座，比美國多出整整一半。
盡管數量和速度并非衡量一切的唯一標準，尖端工藝方面仍存在較大差距，但CSET仍提醒美國要警惕中國的追趕步伐。盡管美國制定了《芯片法案》以推動半導體制造業回流本土并抑制競爭，但效果并不理想。
據ITBEAR科技資訊了解，CSET在報告中強調指出，美國晶圓廠建設放緩的最大阻礙是紛繁復雜的法律法規。這些法規雖然看似對公眾有益，但實際上卻嚴重阻礙了半導體行業的發展。因此，CSET建議刪除那些不必要的冗余條款，為半導體行業開綠燈以促進其發展。
