【ITBEAR科技資訊】2月4日消息，隨著人工智能(AI)和高性能計算(HPC)技術的不斷演進，對內存帶寬的需求也日益增長。盡管當前市場上HBM3E內存的量產已經實現，其數據傳輸速率高達9.6 GT/s，但業界對于更高性能的HBM4內存的期待已經愈發迫切，預計在不久的將來即將面世。
圖源：AMD
據Business Korea報道，SK海力士公司副總裁Chun-hwan Kim在最近的SEMICON Korea 2024大會上透露，公司正積極籌備HBM4內存的量產計劃，力爭在2026年前將其推向市場。這一舉措旨在滿足生成式人工智能市場迅速擴張所帶來的巨大需求，據預測，該市場將以每年35%的速度持續增長。這一增長趨勢將推動處理器性能的不斷提升，進而對內存帶寬提出更高的要求。
據了解，單顆HBM3E內存堆棧的理論峰值帶寬可達到驚人的1.2TB/s。在一個包含6個堆棧的內存子系統中，總帶寬更是高達7.2TB/s。然而，在實際應用中，由于可靠性和功耗等方面的限制，實際帶寬往往會低于理論值。例如，英偉達的H200顯卡雖然采用了HBM3E內存技術，但其提供的帶寬僅為4.8TB/s。
為了進一步提升內存性能，HBM4內存將采用更為先進的2048位接口設計，預計其理論峰值帶寬將超過1.5TB/s。同時，為了平衡功耗與性能之間的關系，HBM4的數據傳輸速率將維持在6GT/s左右。不過由于2048位接口需要更加復雜的布線設計，這將導致HBM4的成本相較于HBM3和HBM3E有所上升。
在HBM4內存的研發方面，除了SK海力士之外，三星也在積極布局。據三星內存業務執行副總裁Jaejune Kim透露：“我們目前正在全力開發HBM4內存技術，并計劃在2025年提供樣品，2026年實現量產。隨著生成式人工智能市場的快速發展，定制化HBM內存的需求也在不斷增長。我們不僅致力于開發標準產品，還將與關鍵客戶緊密合作，通過添加邏輯芯片等方式為每個客戶提供定制化的優化性能解決方案?！?/p>
據ITBEAR科技資訊了解，定制化HBM內存已經成為滿足特定客戶需求的重要趨勢。隨著人工智能和高性能計算領域的不斷發展，對于內存帶寬和性能的要求也在持續提高。在這一背景下，HBM4內存的研發和量產計劃無疑將為整個行業帶來新的發展機遇和挑戰。
