【ITBEAR科技資訊】2月17日消息，ASML已成功向Intel交付首臺高NA EUV極紫外光刻機，為2nm及以下先進工藝芯片的生產提供了強大支持。據悉，臺積電和三星也將陸續接收此類光刻機，預計將進一步推動1nm工藝的研發與量產。
在光刻技術不斷革新的道路上，ASML并未止步。據ITBEAR科技資訊了解，該公司目前正在積極研發下一代Hyper NA(超級NA)光刻機，旨在延續摩爾定律的輝煌。與現有的高NA光刻機相比，Hyper NA光刻機在技術上將實現更大的突破。
回顧ASML光刻技術的發展歷程，第一代Low NA EUV光刻機以0.33 NA的孔徑數值和13.5nm的臨界尺寸，為4/5nm工藝芯片的制造奠定了基礎。通過雙重曝光技術，內連接間距得以縮小至21-24nm，進一步滿足了3nm工藝的需求，如臺積電N3B的制造。
隨后，第二代EUV光刻機將NA值提升至0.55，臨界尺寸縮小至8nm，金屬間距最小約為16nm，為3-1nm工藝的生產提供了有力支持。據Intel透露，他們將在1.4nm節點上首次采用這種高NA光刻機。
ASML首席技術官Martin van den Brink在接受采訪時透露，公司正在研究開發Hyper NA技術，預計將在2030年左右完成。這種新型EUV光刻機不僅適用于邏輯處理器芯片的制造，而且相比高NA雙重曝光成本更低，還有望應用于DRAM內存芯片的生產。盡管低NA光刻機的成本已高達1.83億美元，高NA光刻機更是以3.8億美元起步，但業界對Hyper NA技術的期待依然高漲。
根據微電子研究中心(IMEC)的路線圖，預計在2030年左右，業界將能夠推進到A7 0.7nm工藝。而更先進的A5 0.5nm、A3 0.3nm和A2 0.2nm工藝則可能要在2036年左右才能實現。隨著光刻技術的不斷進步，未來芯片制造的極限將不斷被挑戰和突破。
