1月23日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星晶圓代工廠開(kāi)始試產(chǎn)第二代3nm工藝SF3，這是三星半導(dǎo)體工業(yè)史上的重要里程碑事件，標(biāo)志著三星將與臺(tái)積電爭(zhēng)奪先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的霸主地位。
據(jù)了解，SF3節(jié)點(diǎn)可以在同一單元內(nèi)實(shí)現(xiàn)不同的環(huán)柵（GAA）晶體管納米片溝道寬度，從而提供更大的設(shè)計(jì)靈活性，為芯片帶來(lái)更低的功耗和更高的性能，并通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)增加晶體管密度。
SF3工藝能夠生產(chǎn)更高效、更強(qiáng)大的芯片，這將推動(dòng)人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)等各個(gè)領(lǐng)域的發(fā)展。
據(jù)報(bào)道，三星預(yù)計(jì)在未來(lái)6個(gè)月時(shí)間內(nèi)，讓SF3的工藝良率提高到60%以上。
三星SF3工藝會(huì)率先應(yīng)用到可穿戴設(shè)備處理器上，三星Galaxy Watch 7系列有望搭載SF3工藝芯片。
值得注意的是，三星明年商用的Exynos 2500手機(jī)芯片將會(huì)使用SF3工藝，這顆芯片將由Galaxy S25系列首發(fā)搭載。
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