西數(shù)日前發(fā)布了新一代UFS 3.1閃存iNAND MC EU551系列，主要針對(duì)最新的5G手機(jī)，最大容量512GB，寫入速度可達(dá)1550MB/s。
IDC預(yù)計(jì)2021年5G手機(jī)將占全球出貨量的40%，2025年進(jìn)一步提升到69%的比例，隨著網(wǎng)絡(luò)速度的提升，5G手機(jī)對(duì)存儲(chǔ)容量、性能的要求也會(huì)提高，特別是VR/AR、游戲及8K視頻等應(yīng)用的普及。
西數(shù)推出的iNAND MC EU551是他們的第二代UFS 3.1閃存，采用了最新的閃存，專為5G旗艦手機(jī)、平板設(shè)計(jì)，支持UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lanee，支持rite Booster 和 Host Performance Booster 2.0，寫入速度可達(dá)1550MB/s，性能與桌面NVMe硬盤有得一拼了。
容量方面，iNAND MC EU551系列有128、256及512GB三種，預(yù)計(jì)今年7月份開始上市，下半年的5G旗艦有望搭載，不過售價(jià)沒公布。
