【ITBEAR科技資訊】5月17日消息，臺積電近日在技術研討會上宣布，其3nm工藝節點已逐漸成熟，并計劃于2024年下半年投入量產其進階版本N3P節點。這一進展標志著臺積電在半導體工藝領域的持續創新和領先。
N3P作為N3E工藝節點的進階版，不僅繼承了N3E的高能效特性，更在晶體管密度上實現了顯著提升。據ITBEAR科技資訊了解，臺積電在N3E的基礎上，通過精細化的工藝調整和技術優化，成功提升了N3P的能效和晶體管密度，使其達到甚至超越了行業內的領先水平。
臺積電高管在研討會上表示，N3P工藝已經完成了嚴格的質量驗證，其良品率接近于成熟的N3E工藝。這一成果得益于N3P在IP模塊、設計規則、EDA工具和方法等方面的全面兼容性，使得整個過渡過程異常順利。
N3P的關鍵優勢在于其帶來的性能提升和功耗降低。與N3E相比，N3P在相同功耗下能夠提供約4%的性能提升，或者在匹配時鐘頻率下降低約9%的功耗。此外，對于由邏輯、SRAM和模擬元件組成的典型芯片設計，N3P的晶體管密度也提高了4%，這將有助于實現更緊湊、更強大的芯片設計。
隨著N3P節點的量產，預計將為半導體行業帶來新的性能與效率提升。臺積電將繼續致力于半導體工藝技術的研發和創新，為全球客戶提供更優質的產品和服務。
