【ITBEAR科技資訊】3月9日消息，據(jù)彭博社報道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商臺積電在美國亞利桑那州投資的半導(dǎo)體晶圓廠有望從美國政府那里獲得超過50億美元的聯(lián)邦補貼。然而，由于一些細節(jié)問題尚未敲定，該補貼的具體數(shù)額和細節(jié)暫時還未公布。
如果臺積電真的能夠獲得這筆約360億元人民幣的獎勵，那么此前有關(guān)英特爾將獲得約100億美元獎勵的報道也可能成為現(xiàn)實。英特爾在美國的投資項目規(guī)模龐大，例如在俄亥俄州正在建設(shè)的一個全新廠址，預(yù)計耗資將超過1000億美元，顯示出其在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的雄心壯志。
與此同時，臺積電在亞利桑那州的項目也備受關(guān)注。該公司計劃在該州投資400億美元，建設(shè)兩座先進的半導(dǎo)體制造工廠。這是臺積電為使其地理足跡多樣化而做出的一次重要嘗試。然而，據(jù)ITBEAR科技資訊了解，由于亞利桑那州熟練工人的短缺，臺積電不得不推遲了部分工廠工具的安裝工作，因此原定于2024年投產(chǎn)的工廠現(xiàn)在預(yù)計將推遲到2025年投入運營。這座名為Fab 21 phase 1的生產(chǎn)設(shè)施將采用臺積電的5納米級工藝技術(shù)，包括N5、N5P、N4、N4P和N4X等多種先進技術(shù)。
