【ITBEAR科技資訊】4月9日消息，三星電子最近取得了技術上的重大進展。公司高層近日宣布，他們已經成功完成了16層混合鍵合HBM內存技術的驗證，并已經制造出了基于此技術的16層堆疊HBM3內存樣品。該樣品已經通過了測試并表現正常，預示著未來16層堆疊混合鍵合技術將被運用到HBM4內存的量產中。
混合鍵合技術，這種新興的內存連接方式，相比傳統工藝有著諸多優勢。它不再需要在DRAM內存層間添加凸塊，而是通過銅對銅的直接連接來實現層間互聯，從而顯著提升了工作效率。此外，該技術不僅大幅提高了信號傳輸速率，滿足了AI計算對高帶寬的迫切需求，還有效地縮短了DRAM層間距，顯著降低了HBM模塊的整體高度，進一步提升了集成度和便攜性。
據ITBEAR科技資訊了解，雖然混合鍵合技術的成熟度和成本問題一直是行業內關注的焦點，但三星電子已經采取了多元化策略來應對這些挑戰。在積極研究混合鍵合技術的同時，公司還在開發傳統的TC-NCF工藝，以實現技術多元化，分散風險，并提升整體競爭力。
三星已經將目標設定為將HBM4中的晶圓間隙縮減至7.0微米以內，這將為HBM4的性能和可靠性帶來進一步的提升，為未來計算應用打造更堅實的基礎。
對此，行業專家普遍認為，三星在16層混合鍵合堆疊技術上的這一重大突破，將極大地推動HBM內存技術的發展，并為未來計算應用提供更為強大的內存支持。
