【ITBEAR科技資訊】5月17日消息，近日，臺積電在技術研討會上宣布，其3nm工藝技術已穩定進入生產階段，并計劃在2024年下半年推動N3P節點投入大規模量產。
臺積電方面介紹，N3P技術是基于現有的N3E工藝節點進行的優化升級，該技術在能效和晶體管密度上實現了顯著提升。N3E工藝節點的生產效率已大幅提高，現已與成熟的5nm工藝并駕齊驅。
據ITBEAR科技資訊了解，臺積電的高層管理人員在會議上透露，N3P工藝已經完成了全面的質量驗證，其良品率已接近N3E的水平。作為一種先進的光學微縮工藝，N3P與N3E在IP模塊、設計規則、EDA工具和方法上均具有良好的兼容性，這使得從N3E到N3P的技術過渡得以順利進行。
臺積電強調，N3P的主要優勢在于其強化的技術規格。相較于N3E，使用N3P技術的芯片設計人員可以期待在維持相同功耗的情況下，實現大約4%的性能提升，或者在保持相同性能的情況下，實現約9%的功耗降低。對于包含邏輯、SRAM以及模擬元件的標準芯片設計，N3P還能使晶體管密度提升4%。這一系列的提升將有助于芯片在性能和效率上達到新的高度。
