【ITBEAR科技資訊】5月10日消息,據韓媒The Elec披露,為強化在HBM(High Bandwidth Memory)業務領域的競爭力,三星電子已對其HBM內存開發部門實施了“雙軌化”改革。
此次改革的具體舉措是,現有的DRAM設計團隊將繼續負責HBM3E內存的進一步研發,而新近在三月份成立的HBM產能質量提升團隊則將聚焦于下一代HBM內存——HBM4的開發工作。這個新設立的專門團隊由三星電子DRAM開發副總裁Hwang Sang-joon領導,并直接向存儲器業務部總裁李禎培報告。三星近期還為該團隊調配了額外的人力資源。
HBM內存以其高帶寬特性,已成為AI算力芯片的重要輔助,并在業界備受關注。而新一代的HBM4內存預計將帶來顯著的變化,不僅增加了產品的可能性,同時也提升了研發的挑戰性。據了解,HBM4內存在堆疊技術上將普遍采用12層,甚至首發可能達到16層,但這也會增加晶圓翹曲的風險。此外,HBM4內存的基礎裸片設計也趨向于定制化,以滿足用戶多樣化的需求。
據ITBEAR科技資訊了解,盡管面臨技術挑戰,但三星電子對HBM4的研發充滿信心。然而,市場競爭也日益激烈。據報道,其競爭對手SK海力士已經將12層堆疊版本的HBM4內存的量產時間提前至2025年下半年,而三星電子目前仍計劃在2026年實現這一目標。
通過組建專門的HBM4研發團隊,三星電子旨在解決內存開發過程中的技術難題,縮短研發周期,以期在HBM4技術節點上提升其市場競爭力,并與SK海力士等競爭對手爭奪市場優勢。