【ITBEAR科技資訊】5月10日消息，據(jù)韓媒The Elec披露，為強(qiáng)化在HBM(High Bandwidth Memory)業(yè)務(wù)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，三星電子已對(duì)其HBM內(nèi)存開發(fā)部門實(shí)施了“雙軌化”改革。
此次改革的具體舉措是，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的進(jìn)一步研發(fā)，而新近在三月份成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則將聚焦于下一代HBM內(nèi)存——HBM4的開發(fā)工作。這個(gè)新設(shè)立的專門團(tuán)隊(duì)由三星電子DRAM開發(fā)副總裁Hwang Sang-joon領(lǐng)導(dǎo)，并直接向存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)部總裁李禎培報(bào)告。三星近期還為該團(tuán)隊(duì)調(diào)配了額外的人力資源。
HBM內(nèi)存以其高帶寬特性，已成為AI算力芯片的重要輔助，并在業(yè)界備受關(guān)注。而新一代的HBM4內(nèi)存預(yù)計(jì)將帶來顯著的變化，不僅增加了產(chǎn)品的可能性，同時(shí)也提升了研發(fā)的挑戰(zhàn)性。據(jù)了解，HBM4內(nèi)存在堆疊技術(shù)上將普遍采用12層，甚至首發(fā)可能達(dá)到16層，但這也會(huì)增加晶圓翹曲的風(fēng)險(xiǎn)。此外，HBM4內(nèi)存的基礎(chǔ)裸片設(shè)計(jì)也趨向于定制化，以滿足用戶多樣化的需求。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，盡管面臨技術(shù)挑戰(zhàn)，但三星電子對(duì)HBM4的研發(fā)充滿信心。然而，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)也日益激烈。據(jù)報(bào)道，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士已經(jīng)將12層堆疊版本的HBM4內(nèi)存的量產(chǎn)時(shí)間提前至2025年下半年，而三星電子目前仍計(jì)劃在2026年實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。
通過組建專門的HBM4研發(fā)團(tuán)隊(duì)，三星電子旨在解決內(nèi)存開發(fā)過程中的技術(shù)難題，縮短研發(fā)周期，以期在HBM4技術(shù)節(jié)點(diǎn)上提升其市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，并與SK海力士等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手爭(zhēng)奪市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。
