【ITBEAR科技資訊】5月8日消息，近日，三星電子官方宣布，公司已順利啟動其首款采用3nm Gate All Around(GAA)環繞式柵極工藝的片上系統(SoC)的量產工作。此芯片預計將搭載于即將發布的Galaxy S25系列智能手機上，標志著三星在半導體工藝技術上的又一重大突破。
這款新型移動芯片集成了中央處理器(CPU)、圖形處理器(GPU)以及來自Synopsis的多個知識產權(IP)模塊，構成了一個高性能的處理單元。為了提升芯片的性能及生產效率，三星電子選擇了與業界領先的電子設計自動化解決方案提供商Synopsys進行深入合作。通過使用Synopsys的ai EDA軟件，三星得以在芯片設計過程中實現精細化的優化，進而提升芯片的整體性能。
據ITBEAR科技資訊了解，在芯片設計過程中，三星的工程師團隊還廣泛采用了Synopsys Fusion Compiler等一系列先進的設計工具。這些工具不僅幫助三星實現了芯片性能的提升，還有效地降低了功耗，并優化了芯片的物理尺寸。具體來說，通過設計分區優化、多源時鐘樹綜合(MSCTS)、智能線優化以及更加簡潔高效的分層設計等方法，三星成功地將芯片的運行頻率提高了300MHz，同時將功耗降低了10%。
三星此前在持續使用場景下，其生產的芯片往往會出現耗電量大及性能衰減的問題。然而，隨著此次GAA技術的引入，三星有望進一步改善這一狀況。GAA技術的采用不僅代表著三星在半導體工藝上的創新，也預示著其在解決傳統芯片性能瓶頸問題上邁出了堅實的一步。
