5 月 17 日消息，臺積電近日舉辦技術研討會，表示其 3nm 工藝節點已步入正軌，N3P 節點將于 2024 年下半年投入量產。
N3P 基于 N3E 工藝節點，進一步提高能效和晶體管密度。臺積電表示 N3E 節點良率進一步提高，已經媲美成熟的 5nm 工藝。
IT之家查詢相關報道，臺積電高管表示 N3P 工藝目前已經完成質量驗證，其良品率可以接近于 N3E。作為一種光學微縮工藝，N3P 在 IP 模塊、設計規則、EDA 工具和方法方面兼容 N3E，因此臺積電表示整個過渡過程非常順利。
N3P 的關鍵優勢在于其帶來的增強規格。與 N3E 相比，芯片設計人員可以期待在相同功耗下性能提升約 4%，或在匹配時鐘下功耗降低約 9%。對于由邏輯、SRAM 和模擬元件組成的典型芯片設計，晶體管密度也提高了 4%。
【來源：IT之家】
