【ITBEAR科技資訊】5月27日消息，近日有關三星電子最新的高帶寬內存(HBM)芯片在英偉達測試中未能通過的消息引發了業界關注。然而，三星電子在最新聲明中堅決否認了相關報道，強調公司正在與全球多家合作伙伴順利進行HBM芯片的測試。
據韓媒Business Korea援引三星的聲明，該公司正在努力提高所有產品的質量和可靠性，同時也在嚴格測試HBM產品的質量和性能，旨在為客戶提供最佳解決方案。三星表示，他們正與其他商業伙伴保持持續合作，以確保產品的質量和可靠性達到最高標準。
據ITBEAR科技資訊了解，盡管有關三星HBM芯片存在發熱和功耗問題的報道引發了外界擔憂，但三星已開始批量生產其第五代HBM芯片——24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的HBM3E產品。在目前已量產的HBM3E上，三星并未像競爭對手SK海力士、美光那樣采用1b nm制程DRAM裸片，而是堅持使用1a nm顆粒。這一選擇在能耗方面可能使三星處于一定的劣勢，加上近期出現的負面輿論，導致部分分析師對三星能否從SK海力士等競爭對手中迅速奪回市場份額表示懷疑。
然而，也有觀點認為，三星在HBM技術的研發和生產上具有豐富的經驗和技術實力，此次聲明也顯示出公司對產品質量的嚴格把控和對客戶需求的深度理解。因此，盡管面臨一些挑戰和質疑，三星仍有望在激烈的市場競爭中保持領先地位。
