【ITBEAR科技資訊】5月21日消息，近日，全球知名半導(dǎo)體制造企業(yè)臺(tái)積電宣布，已開(kāi)始運(yùn)用其先進(jìn)的InFO_SoW技術(shù)為特斯拉生產(chǎn)Dojo AI訓(xùn)練模塊。這一創(chuàng)新舉措旨在到2027年，借助更為精細(xì)的晶圓級(jí)封裝技術(shù)，將整體計(jì)算能力飆升40倍。
InFO_SoW，即整合型扇出晶圓級(jí)系統(tǒng)封裝，被視為“InFO”技術(shù)在高性能計(jì)算領(lǐng)域的一次重大革新。它不僅是一種晶圓級(jí)的超大型封裝工藝，還融合了包括晶圓狀散熱片、多個(gè)硅芯片、InFO RDL、電源模塊及連接器等核心組件。此技術(shù)最引人矚目的特點(diǎn)在于其在近似晶圓尺寸的模塊上，能夠并排布局多個(gè)硅芯片，并通過(guò)“InFO”結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)芯片與輸入輸出接口的無(wú)縫對(duì)接，這與傳統(tǒng)“InFO_SoIS”技術(shù)的堆疊方式形成鮮明對(duì)比。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，InFO_SoW技術(shù)的獨(dú)特之處在于其能產(chǎn)出較大面積的芯片，同時(shí)能將龐大的系統(tǒng)集成到直徑約300mm的圓板模塊上。借助InFO技術(shù)的加持，這些模塊相較于傳統(tǒng)的更為緊湊、高效。臺(tái)積電先前的資料顯示，InFO_SoW技術(shù)在多個(gè)方面均超越了采用倒裝芯片技術(shù)的Multi-chip-module。具體來(lái)說(shuō)，與MCM相比，新技術(shù)在連接線(xiàn)路的寬度和間距上實(shí)現(xiàn)了大幅度的縮減，線(xiàn)路密度翻倍。更其單位面積數(shù)據(jù)傳輸速率也提升了一倍，同時(shí)電源供給網(wǎng)絡(luò)的阻抗大幅降低，僅為MCM的3%。
此次臺(tái)積電與特斯拉的合作，無(wú)疑將為人工智能訓(xùn)練模塊的性能帶來(lái)質(zhì)的飛躍，同時(shí)也標(biāo)志著半導(dǎo)體封裝技術(shù)邁入了新的里程碑。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，未來(lái)我們將有望見(jiàn)證更多高性能、高效率的電子產(chǎn)品問(wèn)世。
