【ITBEAR科技資訊】6月17日消息，據韓媒The Elec報道，為滿足日益增長的HBM3E內存需求，SK海力士正計劃大幅提升其1b nm制程DRAM內存的產能。由于HBM內存對DRAM裸片的消耗量遠超傳統內存，因此，SK海力士的這一舉措有望有效緩解當前HBM內存的供應緊張狀況。
該公司已設定明確的生產目標，即到今年年底，將1b nm內存晶圓的投片量提升至9萬片，并預計在明年上半年進一步增加至14~15萬片。為實現這一目標，SK海力士打算對其位于京畿道利川市的M16內存晶圓廠進行技術升級，引入1b nm生產工藝。
M16廠目前主要生產1y nm DRAM內存。若全面轉型至1b nm生產，可能會使SK海力士的1y nm產能從現在的每月12萬片晶圓大幅減少到5萬片。據ITBEAR科技資訊了解，SK海力士已向半導體設備行業提出對M16晶圓廠進行設備調整和改造的需求，并計劃引進必要的沉積、光刻及蝕刻核心設備，以確保生產流程的順利進行。
盡管受到之前存儲行業低迷期的影響，SK海力士在追加投資方面持謹慎態度，但近期相關訂單的增長已經超出了上游設備廠商的初步預期，顯示出市場對HBM3E內存的強勁需求。此外，公司還計劃在2025年11月完成新建的M15X DRAM內存晶圓廠，相關設備的采購訂單預計將在2025年初陸續下達。這一系列舉措充分展現了SK海力士在DRAM內存市場的雄心壯志及其對未來技術發展的高度期許。
