【ITBEAR科技資訊】6月6日消息，近日，全球領先的半導體設備制造商ASML已成功向英特爾交付并安裝了世界首臺商用High-NA EUV光刻機。英特爾院士馬克?菲利普斯(Mark Phillips)確認，該機器預計年內將正式投入使用。
相較于英特爾的積極態度，全球芯片代工巨頭臺積電在采用這項新技術上顯得更為謹慎。今年早些時候，在荷蘭的一場活動中，當被問及是否有購買此類設備的計劃時，臺積電表示反對。該公司曾聲明，在未來幾年內并無需求引入高端的EUV光刻機，主要考慮到其高昂的價格。有分析師甚至預測，臺積電可能要等到2030年或更晚才會采用High-NA EUV技術。
然而，經過數月的討論與考量，臺積電似乎已轉變立場。ASML的發言人莫妮克?莫爾斯(Monique Mols)透露，公司計劃在今年內向臺積電交付一臺價值3.8億美元(約合27.53億元人民幣)的High-NA EUV光刻機。ASML首席財務官羅杰?達森(Roger Dassen)也證實，這臺尖端設備將在年底前送達臺積電，同時英特爾也將收到他們的設備。這一消息發布后，ASML的股價應聲上漲超過6%。
英特爾在2022年便宣布購買了5臺此類設備(型號為TWINSCAN NXE:3600D)，旨在為2025年生產的Intel 18A芯片做準備。
在芯片制造領域，先進的技術光刻是衡量生產能力的關鍵因素。High-NA光刻技術有望進一步縮小芯片尺寸，據稱能夠降低66%的尺寸大小。在當前芯片制造中，盡管3nm和5nm工藝已不直接代表實際的柵極寬度，但行業仍在不斷追求更小的尺寸。
據悉，新型EUV系統具有0.55的數值孔徑，相較于之前配備0.33數值孔徑透鏡的EUV系統，其精度有了顯著提升，能夠實現更為精細的圖案化。
ASML官方還指出，這種High-NA機器的體積將比現有設備大出30%，而現有的機器已經相當龐大，甚至需要三架波音747才能運輸。
另一方面，臺積電在2nm工藝節點上的進展頗為順利。公司計劃于2025年下半年推出N3X和N2制程，并預計在2026年下半年開始量產N2P和A16制程。與3nm工藝不同，臺積電的2nm工藝將采用環繞柵極場效應晶體管(GAAFET)，據稱相較于3nm工藝，其性能將提升10%至15%，同時功耗可降低25%至30%。
之前，有股東發言提及近華為發展晶圓代工相當積極，向臺積電董事長劉德音請教如何評斷，劉德音表示，臺積電著重是自己發展的速度夠不夠快，臺積電永遠有競爭對手。
“至于華為會不會超越臺積電，本來他想請總裁魏哲家回答，后來就直接說，總裁也不用回答了，因為但根本不可能。”劉德音說道。
