【ITBEAR科技資訊】5月29日消息，近日，據韓媒Business Korea報道，三星電子有望在今年6月公布其1nm工藝的發展計劃，并有意將原定的2027年量產計劃提前至2026年實施。
此前，三星已宣布其2納米SF2工藝預計在2025年正式登場。該項新工藝在能效和性能上均有所突破。與現有的3納米第二代3GAP工藝相比，新工藝在同等頻率和復雜度條件下，能效可提升25%。同時，在相同功耗和復雜度的情況下，性能將提高12%，且芯片面積能縮減5%。這一創新對于追求高性能和低功耗的電子產品來說，無疑是一大利好。
另據ITBEAR科技資訊了解，三星電子晶圓代工業務部已定于6月12日至13日，在美國硅谷舉辦一場晶圓代工和SAFE論壇。此次論壇的重點是公布三星的技術路線圖，并探討如何進一步加強其晶圓代工生態系統。這一舉動顯示出三星在半導體領域的雄心壯志，以及對未來技術發展的高度重視。
與此同時，行業內的另一巨頭臺積電也在積極布局未來技術。臺積電目前計劃在2027年達到A16節點(1.6納米)，并有望在2027至2028年間開始量產1.4納米工藝。這意味著，未來幾年內，半導體制造工藝將進入一個全新的納米時代，各大廠商的技術競賽將更加激烈。
隨著技術的不斷進步，納米級工藝的發展將為電子產品帶來更高的性能和更低的功耗。三星和臺積電等行業巨頭的競爭，無疑將推動整個半導體行業持續向前發展。
