【ITBEAR】9月27日消息，SK海力士宣布已成功實現全球首次的12層堆疊HBM3E芯片量產，此舉刷新了HBM產品的最大容量紀錄，高達36GB的存儲容量令人矚目。相較于傳統的8層產品，新款12層芯片在保持相同物理厚度的同時，存儲容量提升了驚人的50%。
這一技術飛躍的背后，是SK海力士在DRAM芯片制造工藝方面的重大突破。公司不僅將芯片厚度減少了40%，更運用了先進的硅通孔(TSV)技術，使得芯片能夠垂直堆疊，從而大幅提升了存儲容量。
在堆疊更多層數的同時，SK海力士也面臨著結構性挑戰。然而，憑借其核心的先進MR-MUF工藝，公司成功提升了產品的散熱性能，增幅達10%，并有效控制了芯片翹曲問題，從而確保了新款HBM3E芯片的穩定性和可靠性。
新款12層HBM3E芯片在性能上達到了業界頂尖水平。其運行速度可高達9.6Gbps，這使得它非常適合運行大型語言模型，例如Llama 3 70B。在實際應用中，該芯片每秒可讀取35次700億個參數，展現出強大的數據處理能力。
自2013年推出第一代HBM產品以來，SK海力士一直保持著在該領域的領先地位。如今，隨著12層HBM3E芯片的量產，公司不僅滿足了人工智能企業對高性能存儲器的迫切需求，更進一步鞏固了其在AI存儲器市場的領導地位。
市場對SK海力士的這一重大技術突破反應熱烈。近期，公司在韓國市場的股價上漲超過8%，市值更是達到了120.34萬億韓元，充分顯示出投資者對公司未來發展前景的樂觀預期。
總的來說，SK海力士通過不斷創新和技術突破，再次引領了HBM產品的發展潮流，為人工智能等領域的發展提供了強有力的支持。
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