【ITBEAR】9月26日消息，SK海力士今日宣布，已在全球范圍內率先啟動12層HBM3E芯片的量產工作，這一里程碑式的進展意味著該公司已成功實現當前HBM產品中最大的36GB容量，并計劃于年內向廣大客戶提供此創新產品。
據ITBEAR了解，該消息一經發布，SK海力士的股價在韓國市場即迎來顯著上漲，漲幅超過8%，推動其市值攀升至超過120.34萬億韓元，折合人民幣約6351.55億元。
在技術細節方面，SK海力士通過堆疊12顆3GB DRAM芯片，成功地在保持與現有8層產品相同厚度的同時，將存儲容量提升了50%。為實現這一突破，公司采用了先進的工藝，將單個DRAM芯片制作得比過去薄了40%，并運用了硅通孔（TSV）技術進行垂直堆疊。
為解決在堆疊更多變薄芯片時可能出現的結構性挑戰，SK海力士引入了其核心的先進MR-MUF工藝。這一工藝不僅提升了產品10%的散熱性能，還有效地控制了翹曲問題，從而確保了產品的穩定性和可靠性。
自2013年推出第一代HBM以來，SK海力士已持續引領HBM技術的發展，成為業界唯一一家全面開發和供應從第一代至第五代（HBM3E）全系列HBM產品的企業。此次成功量產12層堆疊產品，不僅是對人工智能企業不斷增長需求的有力回應，也進一步夯實了SK海力士在面向AI的存儲器市場的領導地位。
SK海力士強調，其12層HBM3E在速度、容量和穩定性等關鍵指標上均達到了業界頂尖水平。具體而言，該產品的運行速度高達9.6Gbps，在配備四個HBM的GPU上運行大型語言模型如“Llama 3 70B”時，每秒可讀取35次700億個整體參數，展現出驚人的數據處理能力。
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