【ITBEAR】中國一汽研發總院新能源開發院功率電子開發部近期成功研發出首款1700V超高壓碳化硅功率器件樣件，這一突破性進展為解決用戶充電焦慮與里程焦慮問題提供了有力支持。該器件基于國產先進的1700V車規級超高壓碳化硅芯片，創新性地運用了高介電強度封裝材料和高耐壓封裝結構，經測試，其最高母線電壓可達1200V，為補能系統向超高壓平臺升級奠定了基礎，顯著縮短了充電時間，為用戶帶來前所未有的充電體驗。
該碳化硅功率器件不僅在技術上實現了創新，更在實際應用中展現了其卓越性能。通過結合高密度元胞并聯、短溝道元胞結構設計、高通流銅夾互聯以及高耐溫銀燒結工藝等先進技術，該器件在超高壓平臺下展現出低損耗與高電流輸出的綜合性能優勢，有效提升了動力系統的功率密度和效率。這意味著用戶在享受澎湃強勁的駕駛體驗的同時，也能最大程度地節約整車電耗，延長續駛里程。
此次1700V碳化硅功率半導體技術的成功研發，無疑豐富了“紅旗”品牌的前瞻技術貨架。這一成就不僅體現了紅旗在新能源汽車技術領域的深厚積累，也為其未來在高壓架構下的產品落地奠定了堅實基礎。隨著該技術的進一步應用與推廣，紅旗有望為用戶帶來更加高效、便捷的充電體驗以及更加綠色、節能的駕駛方式。
