【ITBEAR】紅旗宣布成功研發(fā)出首款1700V超高壓碳化硅功率器件樣件，這一技術創(chuàng)新為解決用戶充電焦慮和里程焦慮問題提供了有效途徑，并為未來“千伏”以上高壓架構(gòu)的實現(xiàn)奠定了基石。
該功率器件采用了國產(chǎn)先進的1700V車規(guī)級超高壓碳化硅芯片，并結(jié)合了高介電強度封裝材料和高耐壓封裝結(jié)構(gòu)等創(chuàng)新技術。測試結(jié)果顯示，該器件在母線電壓高達1200V時仍能保持穩(wěn)定工作。
這款碳化硅功率器件的設計旨在推動補能系統(tǒng)向超高壓平臺升級，從而顯著縮短充電時間。其高密度元胞并聯(lián)、短溝道元胞結(jié)構(gòu)以及高通流銅夾互聯(lián)等先進技術，使得在超高壓平臺下能夠充分展現(xiàn)低損耗與高電流輸出的綜合性能優(yōu)勢，有效提升了動力系統(tǒng)的功率密度和效率，確保在高壓、高溫環(huán)境下穩(wěn)定高效運行，為用戶帶來更為強勁的駕駛體驗。
這款碳化硅功率器件還能顯著節(jié)約整車電耗，提高續(xù)駛里程。對于紅旗品牌而言，此次研發(fā)成功不僅具有重要意義，也為其他汽車制造商提供了新的技術參考。
