【ITBEAR】第十屆國際第三代半導體論壇暨第二十一屆中國國際半導體照明論壇將于11月18日至21日在蘇州國際博覽中心盛大召開。此次盛會匯聚了國內外頂尖院士專家,安排了數十場會議活動,邀請了數百位報告嘉賓,吸引了全產業鏈知名企業的參與。活動將全面覆蓋行業工藝裝備、原材料、技術、產品與應用等各個環節,整合產、學、研、用、政、金等多方面的資源,成為年度國際第三代半導體產業的“風向標”。
方正微電子作為第三代半導體領域的IDM企業,近期宣布了其在SiC產能方面的顯著進展。據透露,公司的Fab1當前已實現每月9000片(6英寸)的SiC產能,預計到2024年底將達到每月1.4萬片,2025年將具備每年16.8萬片車規SiC MOS的生產能力,同時其GaN產能也達到了每月4000片。Fab2的8英寸SiC生產線計劃于2024年底通線,長遠規劃產能為每月6萬片。方正微電子當前已建成的車規SiC MOS生產能力,位居中國第一。
方正微電子的系列產品已廣泛應用于新能源汽車的多個場景,包括主驅逆變控制器、OBC、DC/DC、空調壓縮機以及充電樁等。特別是其車規1200V SiC MOS產品,已在新能源汽車主驅控制器上實現了規模應用。
方正微電子表示,其車規SiC MOS 1200V全系產品的性能已達到國際當前主流芯片水平。以1200V/16mΩ及1200V/20mΩ主驅控制器應用芯片為例,其核心性能關鍵指標如Vgs/Rds/Igs/Idss/Rth/Qg等,均可與國際高端新能源車上應用的SiC MOS產品相媲美,個別指標甚至領先,完全符合新能源汽車的應用需求。
另據了解,方正微電子的工規SiC MOS/ SiC SBD 1200V系列產品已于2023年一季度開始大規模量產,并廣泛應用于光伏、儲能、充電、UPS、工業電源等領域。截至目前,公司已出貨SiC晶圓超過4萬片。