俄羅斯當前面臨的挑戰是，其芯片制造商仍依賴于成熟的制程工藝，如65nm和90nm，且大量使用國外制造的半導體設備，尤其是光刻設備。由于國際制裁，俄羅斯獲取這些關鍵設備的成本已大幅上升。
因此，俄羅斯政府制定了這一國產替代計劃，以降低成本并減少對國外設備的依賴。計劃包括開發從180nm到28nm的多種技術路線的國產設備，涵蓋微電子學、微波電子學、光子學等領域。
盡管該計劃的戰略目標明確，但具體實施細節仍較為模糊。俄羅斯計劃在2026年底前完成一系列關鍵設備的開發，包括用于不同工藝技術的光刻設備，并掌握外延法等重要工藝。
俄羅斯還計劃自主生產65nm或90nm制程的國產光刻系統，以提高其微電子產品的生產能力。然而，這一目標仍落后于全球行業的領先水平。
在資金投入方面，俄羅斯政府將通過多個國家計劃來分配這2400億盧布的資金，包括電子和無線電電子工業發展計劃以及科學技術發展計劃。
盡管俄羅斯政府已投入大量資金用于推動半導體制造業的發展，但相對于龐大且復雜的半導體產業鏈來說，這些資金可能仍顯不足。
