【ITBEAR】在半導體工藝邁向22納米及以下技術節點之際，套刻誤差的測量成為關鍵挑戰。特別是在多重圖形技術的推動下，對工藝層間套刻精度的要求愈發嚴格。基于衍射原理的DBO測量技術，憑借其優越的性能，已成為該領域的主流選擇。
為了應對這一挑戰，東方晶源推出了基于計算光刻平臺的DBO套刻標記仿真優化產品——PanOVL。該產品利用先進的PanGen OPC和PanGen Sim引擎，結合GPU+CPU混算及分布式計算框架，實現了大規模套刻標記的高效仿真與優化。
PanOVL能夠識別具有較大工藝窗口的套刻標記，提供滿足良好信噪比且抗工藝擾動能力強的方案。同時，它還能仿真曝光過程像差對套刻標記的影響，使套刻測量結果更貼近實際器件情況。
東方晶源的PanOVL產品不僅豐富了其計算光刻平臺的產品線，還加強了與產業鏈上下游的合作，為客戶提供更全面的服務，助力提升晶圓制造能力。
