【ITBEAR】近日，理想晶延半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司在知識產(chǎn)權(quán)領(lǐng)域取得了新突破。該公司成功獲得了一項名為“一種真空腔內(nèi)旋轉(zhuǎn)臺”的實用新型專利，該專利的申請日期追溯至今年2月，授權(quán)公告號為CN 221822325 U。
據(jù)悉，此專利主要應(yīng)用于薄膜沉積技術(shù)，特別是半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備中。其設(shè)計包括載臺、中空旋轉(zhuǎn)平臺及磁流體傳動軸，實現(xiàn)了真空環(huán)境下的物料旋轉(zhuǎn)功能。該旋轉(zhuǎn)臺的特點在于其高效的密封性、易于維修、成本低廉，并能適應(yīng)大負(fù)載及提高抗偏載能力。
