【ITBEAR科技資訊】7月8日消息，三星公司最近宣布，他們已經組建了一個全新的“HBM開發團隊”。這一重要舉措清楚地表明了三星在高帶寬內存(HBM)技術領域的堅定決心和雄心壯志，標志著其在這個領域的發展進入了一個全新的階段。
據ITBEAR科技資訊了解，新成立的HBM開發團隊將致力于研發尖端技術，特別是HBM3、HBM3E以及備受矚目的下一代HBM4技術。三星此舉意在顯著增強其在全球HBM市場的競爭力，進一步擴大市場份額。
三星在HBM技術的研發上可謂歷史悠久。自2015年以來，該公司就在其DRAM部門內專注于HBM技術的深度開發，并設立了專門的團隊和特別工作組來持續推動技術的創新和突破。這次組織結構的調整和優化無疑是對過去幾年努力的進一步加強，顯示了三星對HBM技術未來發展的強烈信心。
三星在搶占高價值DRAM市場方面表現出了令人矚目的研發速度和執行能力。今年早些時候，三星成功研發出了HBM3E 12H DRAM，并在隨后的四月份就實現了HBM3E 8H DRAM的批量生產。這些顯著的成就充分展示了三星的技術實力，并為其在HBM領域的領導地位打下了堅實的基礎。
同時，三星與英偉達等業內領先企業的合作正在日益加深。自去年以來，三星一直在積極向英偉達提供HBM3E樣品以供嚴格測試，包括8層和12層堆疊技術。盡管面臨諸多挑戰，但進展順利，預計在今年第三季度末將完成部分驗證工作。這種合作無疑會加速HBM技術在高端計算領域的應用和普及。
此外，三星還通過官方渠道分享了其HBM產品的最新研發動態，并公開了HBM4技術的研發計劃，預計該技術將在2025年首次亮相。這一消息立即引起了業界的廣泛關注，并激發了市場對未來高性能計算和人工智能領域技術創新的期待。
還有傳言稱，三星正在考慮在HBM4中采用革命性的非導電粘合膜(NCF)組裝技術和混合鍵合(HCB)技術。這些技術旨在優化高溫環境下的熱性能，從而進一步提高產品的穩定性和可靠性。如果這一傳言成真，那么三星將再次突破現有技術的邊界。
