【ITBEAR】8月7日消息，據路透社報道，三星電子在內存技術領域取得了新的突破。據悉，三星電子的第五代8層HBM3E產品已經通過了英偉達的嚴格測試，并被確認可用于后者的人工智能處理器。這一進展不僅標志著三星在HBM技術上的重大突破，也意味著該公司在供應能夠高效處理生成式AI工作的高級內存芯片方面取得了顯著進展。
盡管三星和英偉達尚未正式簽署關于已獲批的8層HBM3E芯片的供應協議，但據知情人士透露，雙方的合作即將進入實質性階段，預計在2024年第四季度開始大規模供貨。三星的12層HBM3E芯片版本目前尚未通過英偉達的測試。
據ITBEAR了解，HBM(High Bandwidth Memory)是一種先進的動態隨機存取內存(DRAM)標準，自2013年首次推出以來，以其垂直堆疊芯片的設計在節省空間和降低能耗方面表現出色。作為AI圖形處理器(GPU)的關鍵組件，HBM對于處理生成式AI應用產生的海量數據至關重要。
隨著生成式AI熱潮的興起，高端GPU的需求激增，三星HBM3E芯片的成功認證無疑為AI硬件市場注入了新的活力。研究機構TrendForce預測，HBM3E芯片將成為今年主流HBM產品的首選，出貨量主要集中于下半年。同時，行業領軍企業SK海力士預計，整個HBM內存芯片市場在2027年將以每年82%的速度增長。
三星7月的預測顯示，HBM3E芯片將在第四季度占其HBM芯片銷售額的60%，許多分析師認為，如果其最新的HBM芯片能在第三季度通過英偉達的最終認證，這一目標將得以實現。目前，HBM的主要制造商僅有三家，分別為SK海力士、美光和三星，三星的這一新進展無疑將在市場上引起震動。
此次與英偉達的合作不僅將對兩家公司產生深遠影響，還將對整個AI硬件市場格局產生重要推動作用。三星通過引入更高效的內存解決方案，有望與英偉達共同引領AI技術的發展潮流，為未來的人工智能應用鋪平道路。隨著第四季度供貨的臨近，市場對這一合作的關注度將持續升高。
