【ITBEAR】9月12日消息，半導體行業迎來重大突破！全球領先的半導體公司英飛凌科技，近日成功研發出首款直徑為300毫米的功率氮化鎵（GaN）晶圓技術，該技術將大幅提升芯片生產效率并降低成本。
相較于傳統的200毫米晶圓，300毫米晶圓擁有更大的面積，這意味著在相同的生產過程中能夠制造出數量更多的芯片。這一創新不僅將生產效率提高了2.3倍，同時也為氮化鎵技術的更廣泛應用鋪平了道路，使其在經濟性方面更具競爭力。
據ITBEAR了解，氮化鎵功率半導體因其卓越的效率、小巧的尺寸以及輕盈的重量，正迅速被工業、汽車、消費電子、計算和通信等多個領域所采納。英飛凌的這一技術突破無疑將加速這一趨勢。
英飛凌計劃在未來的慕尼黑電子展上，向全球展示其先進的300毫米GaN技術。此外，公司已在奧地利菲拉赫的工廠成功實現了該技術的量產，并準備根據市場反響進一步擴大生產規模。
英飛凌科技股份公司首席執行官Jochen Hanebeck對此次成就表示自豪，他強調這是公司創新實力和全球團隊協作的成果，并認為這項技術將重塑行業格局，充分釋放氮化鎵的潛力。
隨著300毫米功率氮化鎵晶圓技術的問世，英飛凌科技進一步鞏固了其在半導體行業的領導地位，同時也為全球電子產業的持續發展注入了新的活力。
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