【ITBEAR】9月12日消息，半導體行業(yè)迎來重大突破！全球領先的半導體公司英飛凌科技，近日成功研發(fā)出首款直徑為300毫米的功率氮化鎵（GaN）晶圓技術，該技術將大幅提升芯片生產(chǎn)效率并降低成本。
相較于傳統(tǒng)的200毫米晶圓，300毫米晶圓擁有更大的面積，這意味著在相同的生產(chǎn)過程中能夠制造出數(shù)量更多的芯片。這一創(chuàng)新不僅將生產(chǎn)效率提高了2.3倍，同時也為氮化鎵技術的更廣泛應用鋪平了道路，使其在經(jīng)濟性方面更具競爭力。
據(jù)ITBEAR了解，氮化鎵功率半導體因其卓越的效率、小巧的尺寸以及輕盈的重量，正迅速被工業(yè)、汽車、消費電子、計算和通信等多個領域所采納。英飛凌的這一技術突破無疑將加速這一趨勢。
英飛凌計劃在未來的慕尼黑電子展上，向全球展示其先進的300毫米GaN技術。此外，公司已在奧地利菲拉赫的工廠成功實現(xiàn)了該技術的量產(chǎn)，并準備根據(jù)市場反響進一步擴大生產(chǎn)規(guī)模。
英飛凌科技股份公司首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck對此次成就表示自豪，他強調(diào)這是公司創(chuàng)新實力和全球團隊協(xié)作的成果，并認為這項技術將重塑行業(yè)格局，充分釋放氮化鎵的潛力。
隨著300毫米功率氮化鎵晶圓技術的問世，英飛凌科技進一步鞏固了其在半導體行業(yè)的領導地位，同時也為全球電子產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展注入了新的活力。
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