【ITBEAR】近期，中國在半導體產業的多個領域正加速推進自給自足的步伐，力求減少對外部供應鏈的依賴。這一戰略涵蓋了邏輯芯片制造、DRAM內存、HBM內存、NAND閃存，以及半導體設備和材料的研發與生產。
在邏輯芯片制造領域，盡管有觀點認為中國與全球領先水平存在約十年的差距，但更多分析傾向于這一差距在3-5年左右。這一評估部分基于華為最新款手機的芯片性能。
DRAM內存方面，中國廠商長鑫已實現LPDDR5技術，相當于全球第六代水平，僅落后一代。然而，在更先進的HBM內存領域，中國據估計落后全球約十年，主要歸因于起步較晚。
NAND閃存方面，長存曾推出全球首款200+層3D NAND閃存，技術領先。但因設備受限，目前國產化水平約為160層，與競爭對手存在兩代差距。盡管如此，外媒指出，長存的技術基礎并未落后，只是受限于設備。
半導體設備方面，中國落后全球約3-5年，而在光刻機技術上，差距被評估為至少15年以上，因為中國尚未掌握浸潤式光刻機技術，而ASML已擁有超過20年的相關經驗。
外媒總結認為，半導體產業極為復雜，全球尚無國家能實現完全自給。中國雖因外部壓力刺激了創新，但在如此復雜的技術生態中，單打獨斗的戰略面臨巨大挑戰。中國要實現全產業鏈自給，仍有漫長道路要走。
