【ITBEAR】近期，中國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的多個領(lǐng)域正加速推進自給自足的步伐，力求減少對外部供應(yīng)鏈的依賴。這一戰(zhàn)略涵蓋了邏輯芯片制造、DRAM內(nèi)存、HBM內(nèi)存、NAND閃存，以及半導(dǎo)體設(shè)備和材料的研發(fā)與生產(chǎn)。
在邏輯芯片制造領(lǐng)域，盡管有觀點認為中國與全球領(lǐng)先水平存在約十年的差距，但更多分析傾向于這一差距在3-5年左右。這一評估部分基于華為最新款手機的芯片性能。
DRAM內(nèi)存方面，中國廠商長鑫已實現(xiàn)LPDDR5技術(shù)，相當于全球第六代水平，僅落后一代。然而，在更先進的HBM內(nèi)存領(lǐng)域，中國據(jù)估計落后全球約十年，主要歸因于起步較晚。
NAND閃存方面，長存曾推出全球首款200+層3D NAND閃存，技術(shù)領(lǐng)先。但因設(shè)備受限，目前國產(chǎn)化水平約為160層，與競爭對手存在兩代差距。盡管如此，外媒指出，長存的技術(shù)基礎(chǔ)并未落后，只是受限于設(shè)備。
半導(dǎo)體設(shè)備方面，中國落后全球約3-5年，而在光刻機技術(shù)上，差距被評估為至少15年以上，因為中國尚未掌握浸潤式光刻機技術(shù)，而ASML已擁有超過20年的相關(guān)經(jīng)驗。
外媒總結(jié)認為，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)極為復(fù)雜，全球尚無國家能實現(xiàn)完全自給。中國雖因外部壓力刺激了創(chuàng)新，但在如此復(fù)雜的技術(shù)生態(tài)中，單打獨斗的戰(zhàn)略面臨巨大挑戰(zhàn)。中國要實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈自給，仍有漫長道路要走。
