據(jù)業(yè)界預(yù)測(cè)，相較于現(xiàn)行的N3E工藝，N2工藝有望在維持相同功耗的情況下，實(shí)現(xiàn)10%至15%的性能躍升。若以相同運(yùn)行頻率為基準(zhǔn)，新制程則能減少25%至30%的能耗，同時(shí)提升15%的晶體管密度。
市場(chǎng)觀察家指出，盡管臺(tái)積電2nm晶圓的預(yù)估價(jià)格攀升至3萬(wàn)美元以上，超越早先2.5萬(wàn)美元的預(yù)期，且顯著高于目前3nm晶圓的1.85萬(wàn)至2萬(wàn)美元價(jià)格區(qū)間，但考慮到技術(shù)突破與成本投入，這一價(jià)格定位仍屬合理。每位客戶的實(shí)際報(bào)價(jià)將視訂單規(guī)模與合作深度而定，因此市場(chǎng)所見(jiàn)的3萬(wàn)美元價(jià)格僅作為參考。
為滿足對(duì)2nm技術(shù)的旺盛需求，臺(tái)積電正不斷加大研發(fā)投入，并推進(jìn)生產(chǎn)線建設(shè)工作。新工藝預(yù)計(jì)將引入更復(fù)雜的EUV光刻技術(shù)，甚至可能采用雙重曝光工藝，這無(wú)疑會(huì)增加生產(chǎn)成本。
臺(tái)積電已規(guī)劃在2025年下半年啟動(dòng)N2工藝的量產(chǎn)，并有望在2026年前將首批2nm芯片交付客戶手中。業(yè)界普遍預(yù)期，科技巨頭蘋(píng)果將成為這一先進(jìn)技術(shù)的首批受益者之一。
