據(jù)業(yè)界預測，相較于現(xiàn)行的N3E工藝，N2工藝有望在維持相同功耗的情況下，實現(xiàn)10%至15%的性能躍升。若以相同運行頻率為基準，新制程則能減少25%至30%的能耗，同時提升15%的晶體管密度。
市場觀察家指出，盡管臺積電2nm晶圓的預估價格攀升至3萬美元以上，超越早先2.5萬美元的預期，且顯著高于目前3nm晶圓的1.85萬至2萬美元價格區(qū)間，但考慮到技術(shù)突破與成本投入，這一價格定位仍屬合理。每位客戶的實際報價將視訂單規(guī)模與合作深度而定，因此市場所見的3萬美元價格僅作為參考。
為滿足對2nm技術(shù)的旺盛需求，臺積電正不斷加大研發(fā)投入，并推進生產(chǎn)線建設(shè)工作。新工藝預計將引入更復雜的EUV光刻技術(shù)，甚至可能采用雙重曝光工藝，這無疑會增加生產(chǎn)成本。
臺積電已規(guī)劃在2025年下半年啟動N2工藝的量產(chǎn)，并有望在2026年前將首批2nm芯片交付客戶手中。業(yè)界普遍預期，科技巨頭蘋果將成為這一先進技術(shù)的首批受益者之一。
