【ITBEAR】臺積電在半導體技術領域再次取得顯著進展，成功在2nm制程上實現突破，引入創新的GAAFET晶體管技術。此項技術結合NanoFlex特性，為芯片設計帶來全新層面的靈活度。
與目前的N3E工藝相比，N2工藝有望在維持相同功耗的同時，提升10%至15%的性能，或在相同運行頻率下降低25%至30%的能耗。晶體管密度的15%提升標志著行業內的重大進步。
然而，技術突破的背后伴隨著成本的上升。據預測，2nm晶圓的價格可能超過3萬美元，顯著高于當前3nm和4/5nm晶圓的價格。臺積電為應對市場需求，計劃在中國臺灣多地擴建2nm晶圓廠。
隨著新工藝的引入，生產成本因更多的EUV光刻步驟而增加，可能采用的雙重曝光技術進一步推高了成本。盡管如此，臺積電仍堅定推進N2工藝，并計劃于2025年下半年開始批量生產，預計最快2026年向客戶交付采用該工藝的芯片，其中蘋果有望成為首個采用該技術的客戶。
