在芯片制造業的浩瀚星空中，光刻技術猶如一顆璀璨的恒星，引領著行業的前行方向。盡管諸如NIL納米壓印與BLE電子束技術嶄露頭角，但在大規模芯片生產的舞臺上，光刻技術依然牢牢占據主導地位，其中光刻機更是不可或缺的核心設備。
光刻機的全球市場格局，宛如一幅三強鼎立的畫卷。荷蘭ASML以壓倒性的85%市場份額傲視群雄，而日本的尼康與佳能則攜手共進，占據了剩余的15%版圖。這樣的市場分布，無疑凸顯了光刻機領域的高度集中與競爭激烈。
將目光轉向中國，上海微電子作為國內光刻機領域的佼佼者，其身影雖在，但市場份額微乎其微，近乎于無。該公司目前公開的光刻機產品，技術停留在90納米級別，且多用于后道工序，即封測領域，而在前道制造上的應用則相對較少。這一現狀，無疑為中國芯片制造業的自主發展之路增添了幾分挑戰。
面對這一困境，國際上的封鎖與制裁接踵而至。美國攜手日本、荷蘭，對光刻機實施嚴格管控，先是禁止EUV光刻機出口中國，隨后更是將高端的浸潤式DUV光刻機也納入禁售之列，其目的不言而喻，旨在遏制中國芯片制造產業的崛起。
近日，美國的制裁行動再度升級，規模空前，涉及140家企業、24種設備、3種軟件，以及HBM內存，全面圍堵中國高科技領域的發展。在此背景下，中國如何破局？答案或許只有一個——自主研發EUV光刻機。
一旦中國成功掌握EUV光刻機技術，將意味著5納米及以下級別芯片的自給自足，屆時，美國的芯片與技術封鎖將形同虛設，自我放棄中國這一龐大的市場。反之，若中國無法突破EUV光刻機的技術壁壘，繼續依賴進口，則將長期處于被動地位，受制于人的局面難以改變。
然而，EUV光刻機的研發之路并非坦途。近期，國內曝光的一臺采用193納米波長光源的光刻機，雖然分辨率達到65納米以下，套刻精度也小于8納米，但仍屬于DUV光刻機的范疇，距離浸潤式光刻機乃至EUV光刻機尚有不小差距。這意味著，中國光刻機技術的發展還需跨越至少兩代，才能觸及EUV光刻機的門檻。
盡管如此，挑戰與機遇并存。面對國際封鎖與技術壁壘，中國沒有退路，唯有堅定信念，加大研發投入，勇攀科技高峰。唯有如此，才能在未來全球芯片制造業的競爭中占據一席之地，實現真正的自主可控。
