近期，據業界消息透露，三星電子即將在國際固態電路會議（ISSCC）這一科技盛會上，揭開其最新的第10代3D NAND Flash的神秘面紗。這款NAND Flash采用了超過400層的堆疊技術，接口速度更是達到了驚人的5.6 GT/s。
三星此次推出的新一代V-NAND，依舊沿用了TLC（三級單元）架構設計，即每個存儲單元可以存儲3位數據。在這一架構下，每個芯片的容量高達1Tb（即128GB），展現了三星在存儲技術領域的深厚實力。
盡管這款新的3D TLC NAND Flash的存儲密度達到了28 Gb/mm2，但相較于三星此前推出的1Tb 3D QLC V-NAND（存儲密度高達28.5 Gb/mm2），仍略顯遜色。不過，后者目前仍是全球存儲密度最高的NAND Flash產品。
在接口速度方面，三星第10代V-NAND的表現尤為亮眼。其5.6 GT/s的接口速度，不僅遠超同類產品，甚至超過了長江存儲的3.6 GT/s。在如此高速的接口下，數據傳輸速率可達約700 MB/s，這一性能足以讓多個設備同時工作，以滿足高速數據傳輸的需求。據估算，10個這樣的設備就能使PCIe4.0 x4接口達到飽和狀態，而20個則足以讓更快的PCIe5.0 x4接口滿載運行。
據悉，三星計劃在ISSCC 10上正式推出這款第10代V-NAND。這也意味著，這款NAND Flash很可能在明年開始進入批量生產階段。然而，關于這款新產品何時會應用到三星自家的SSD產品中，目前尚無法確定。
