Intel在即將舉行的2024年IEEE國際電子器件會議（IEDM 2024）上，披露了一系列技術(shù)革新，預(yù)示著半導(dǎo)體行業(yè)即將迎來新的突破。
在材料科學(xué)領(lǐng)域，Intel推出了減成法釕互連技術(shù)，這項技術(shù)有望將芯片內(nèi)部的線間電容降低多達(dá)25%，對改善芯片內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)具有重大意義。這一進(jìn)步為提升芯片性能和效率開辟了新路徑。
Intel代工部門還展示了一項針對先進(jìn)封裝的異構(gòu)集成方案，據(jù)稱能將芯片間的封裝速度提升百倍，實現(xiàn)前所未有的芯片間組裝速度。這一技術(shù)的突破，無疑將極大地加速高性能計算系統(tǒng)的開發(fā)進(jìn)程。
Intel代工部門還揭秘了硅基RibbionFET CMOS技術(shù)和2D場效應(yīng)晶體管的柵氧化層模塊，這些技術(shù)旨在通過微縮化提升設(shè)備性能，為半導(dǎo)體工藝的持續(xù)演進(jìn)提供了有力支撐。
在300毫米氮化鎵（GaN）技術(shù)領(lǐng)域，Intel也取得了顯著進(jìn)展。他們制造出了業(yè)界領(lǐng)先的高性能微縮增強(qiáng)型GaN MOSHEMT，這一成果有望通過減少信號損失和提高信號線性度，為功率器件和射頻器件等領(lǐng)域帶來性能上的飛躍。同時，基于襯底背部處理的先進(jìn)集成方案，也為這些應(yīng)用提供了更強(qiáng)的性能保障。
Intel代工部門還提出了三個關(guān)鍵的創(chuàng)新方向，旨在推動人工智能在未來十年向更高能效發(fā)展。首先，他們強(qiáng)調(diào)先進(jìn)內(nèi)存集成的重要性，以解決容量、帶寬和延遲方面的瓶頸問題。其次，混合鍵合技術(shù)的應(yīng)用將優(yōu)化互連帶寬，進(jìn)一步提升系統(tǒng)性能。最后，模塊化系統(tǒng)及其相應(yīng)的連接解決方案，將為構(gòu)建更高效、更靈活的AI系統(tǒng)提供有力支持。
