近期，全球領先的半導體制造商臺積電（TSMC）在其歐洲開放創新平臺（OIP）論壇上，透露了一項令人矚目的技術進展——超大版本的CoWoS封裝技術即將完成認證。這一創新技術以其前所未有的中介層集成能力和高性能內存堆棧配置，吸引了業界的廣泛關注。
據悉，這項技術的核心亮點在于能夠支持多達9個光罩尺寸的中介層集成，并搭載12個高性能的HBM4內存堆棧。然而，這一技術突破的背后，隱藏著巨大的挑戰。即便是5.5個光罩尺寸的配置，所需的基板面積也已超過100 x 100毫米，逼近了OAM 2.0標準尺寸的上限。若要實現9個光罩尺寸的極致集成，基板尺寸更是需要突破120 x 120毫米的大關，這無疑是對現有技術框架的極限挑戰。
這一基板尺寸的變革，不僅深刻影響了系統設計的整體布局，也對數據中心的配套支持系統提出了更高的要求。特別是在電源管理和散熱效率方面，需要更加精細的考量與優化，以確保系統的穩定運行和高效性能。
臺積電方面表示，他們希望采用這一先進封裝方法的公司，能夠進一步利用其系統集成芯片（SoIC）技術，垂直堆疊邏輯芯片，從而大幅提升晶體管數量和整體性能。這一提議無疑為未來的芯片設計提供了新的思路和方向。
更引人注目的是，借助這一超大版本的CoWoS封裝技術，臺積電預計其客戶將能夠實現1.6nm芯片與2nm芯片的垂直堆疊。這一技術突破，不僅將推動芯片制造技術的進一步發展，也將為未來的高性能計算、人工智能等領域提供更加強大的硬件支持。
臺積電還強調了其在先進封裝技術領域的持續投入和創新。他們表示，將繼續致力于推動芯片封裝技術的邊界，以滿足未來市場對高性能、低功耗芯片的不斷需求。
隨著這一技術的逐步成熟和商業化應用，我們有理由相信，未來的芯片設計將更加復雜、高效，為各行各業的發展注入新的活力。
同時，這一技術突破也將對全球半導體產業產生深遠的影響，推動產業鏈上下游企業的協同創新和技術進步。
