【ITBEAR】臺積電在半導體技術領域再次取得顯著進展，成功縮小了2nm制程節點上的SRAM單元尺寸。這一突破性的成果預計將大幅提升SRAM密度，為現代CPU、GPU和SoC設計的性能優化鋪平道路。
據悉，臺積電在新一代2nm制程中引入了GAA晶體管架構，實現了HD SRAM位單元尺寸的顯著縮小，約減小了10%。這一改進對于提高處理大批量數據的能力至關重要，因為更大的緩存容量意味著更少的內存訪問，從而節省了性能和電力消耗。
臺積電將在即將到來的IEDM會議上展示其2nm制程節點的最新成果，其中HD SRAM位單元尺寸已縮小至約0.0175μm2。這一創新不僅代表了技術上的巨大飛躍，也為未來智能設備的高效化、智能化發展奠定了基礎。
值得關注的是，臺積電還計劃在今年第四季度推出首款采用3nm工藝的智能手機芯片。該芯片同樣采用了先進的GAA晶體管架構，預計將為用戶帶來更為出色的性能和效率體驗。
隨著高性能電子設備對SRAM單元的需求持續增長，臺積電在半導體技術領域的這一重大突破無疑將為整個行業注入新的活力。通過不斷優化制程技術，臺積電正致力于滿足市場對于更小、更高效SRAM單元的迫切需求。
