在內(nèi)存性能領(lǐng)域，頻率一直被視為衡量標(biāo)準的關(guān)鍵指標(biāo)，無論是制造商的宣傳策略，還是用戶的實際使用體驗，都高度關(guān)注這一參數(shù)。然而，業(yè)內(nèi)人士逐漸意識到，時序同樣是影響內(nèi)存性能的重要因素之一。即便是頻率相同的內(nèi)存條，在不同時序設(shè)定下，其表現(xiàn)也會有所差異。
本次，我們以神凝PRO這款內(nèi)存條為例，深入探討時序如何對內(nèi)存性能產(chǎn)生影響。神凝PRO是在神凝系列基礎(chǔ)上，進一步追求性能提升的佳作。它不僅采用了高質(zhì)量的原廠內(nèi)存顆粒和十層PCB堆疊設(shè)計，還通過云彣(UniWhen?)的全新時序優(yōu)化方案進行精心調(diào)校，實現(xiàn)了6400 MT/s的高頻率與CL28（28-38-38-102）的超低時序，為游戲玩家?guī)砹烁恿鲿车母邘鼠w驗。
內(nèi)存時序，即內(nèi)存模塊完成各種操作所需的時間間隔，通常以時鐘周期為單位進行度量。時序的表示形式通常是一組四個數(shù)字，例如神凝PRO的CL28-38-38-102。這四個數(shù)字分別代表了內(nèi)存在執(zhí)行不同操作時所需的延遲時間：
CL（CAS Latency），即列地址選通延遲，是內(nèi)存控制器發(fā)出讀取命令后，內(nèi)存芯片響應(yīng)并開始數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r間。這一數(shù)字越小，內(nèi)存的響應(yīng)速度就越快。
tRCD（RAS to CAS Delay），即行地址選通到列地址選通的延遲，表示從內(nèi)存芯片選中一行數(shù)據(jù)到選中列數(shù)據(jù)的時間。
tRP（RAS Precharge Time），即行預(yù)充電時間，是關(guān)閉當(dāng)前內(nèi)存行并為下一行數(shù)據(jù)做準備的時間。
tRAS（Active to Precharge Delay），即活動到預(yù)充電的延遲，表示內(nèi)存行處于激活狀態(tài)的最小時間，在這段時間內(nèi)不能對該行進行預(yù)充電。
內(nèi)存時序直接影響數(shù)據(jù)訪問速度。如果內(nèi)存時序較高（即數(shù)值較大），則每次數(shù)據(jù)讀取或?qū)懭氲臅r間會更長，從而影響系統(tǒng)的響應(yīng)時間和數(shù)據(jù)傳輸速度。相反，低時序內(nèi)存（數(shù)值較小）能更快地響應(yīng)命令，從而提升系統(tǒng)的整體性能。對于需要頻繁訪問內(nèi)存的游戲和其他應(yīng)用來說，低時序尤為重要。
在AIDA64內(nèi)存基準測試中，神凝PRO與同頻率但時序為CL38（38-48-48-100）的內(nèi)存條相比，性能提升顯著。讀取、寫入、拷貝等子項成績均有提升，而延遲成績更是降低了8.78%。
在對內(nèi)存較為敏感的《絕地求生》游戲測試中，神凝PRO同樣表現(xiàn)出色。在神凝PRO的加持下，平均幀率提高了12 FPS，1% LOW幀也提升了9 FPS。
神凝PRO的推出，不僅標(biāo)志著內(nèi)存性能的又一次突破，也體現(xiàn)了云彣(UniWhen)以用戶需求為導(dǎo)向，不斷追求卓越的產(chǎn)品理念。通過匠心打造和持續(xù)創(chuàng)新，云彣(UniWhen)致力于為用戶帶來更加出色的產(chǎn)品體驗。
