【ITBEAR】在深圳盛大舉行的國際集成電路展覽會暨研討會(IIC)上,英諾賽科憑借其自主研發的SolidGaN ISG3202LA產品,榮獲了備受矚目的全球電子成就獎(WEAA)中的“最佳功率半導體/驅動器”獎項。
此次IIC展會由全球技術機構媒體領軍者AspenCore主辦,匯聚了全球半導體產業的眾多頂尖廠商和創新企業。展會特設了IC設計與應用專區、分銷商專區及半導體綜合展區等高端展區,集中展示了IC設計、EDA/IP、物聯網、AI、汽車電子、電源管理等前沿技術及其市場應用,共同探索電子產業的未來發展之路。
全球電子成就獎(WEAA)作為電子技術領域的重量級獎項,由AspenCore主辦,并經過資深產業分析師評審委員會以及全球網站用戶的共同評選。該獎項旨在表彰在全球電子產業中做出杰出貢獻的企業和管理者,推動電子產業的發展和創新。
英諾賽科此次獲獎的SolidGaN ISG3202LA產品,是一款專為48V數據中心、48V汽車電子、馬達驅動等應用領域打造的高集成度100V氮化鎵半橋合封芯片。該產品采用LGA 5X6.5封裝,內部集成了兩顆100V氮化鎵、一顆半橋驅動器及多個電容電阻,從而大幅簡化了系統BOM,縮小了方案尺寸,同時提供了高效率、高性能和高功率密度的卓越性能。
目前,英諾賽科的SolidGaN合封系列產品已全面覆蓋100V和700V電壓范圍,為電源適配器、LED驅動、馬達驅動、太陽能微型逆變器、數據中心及汽車電子等多個領域提供了簡化的系統方案與高效性能支持。
英諾賽科作為全球功率半導體領域的領軍企業,以及全球最大的氮化鎵芯片制造商,采用IDM全產業鏈商業模式,并率先實現了8英寸氮化鎵的量產工藝。公司屢獲殊榮,包括連續兩年入選胡潤研究院《全球獨角獸榜》,以及榮獲江蘇省科學技術廳、創新珠海科學技術獎勵委員會和中國半導體行業協會頒發的多項榮譽。