【ITBEAR】在半導體行業，碳化硅材料正逐漸嶄露頭角，成為第三代半導體的代表。其優越的低阻值特性賦予了它高耐壓、低導通電阻及高速等性能，從而在電能轉換領域得到廣泛應用。近日，國內半導體領域迎來一大突破——芯聯集成成功實現了8英寸碳化硅工程批的順利下線，這標志著該公司正式躋身全球第二家、國內首家能夠制造8英寸碳化硅器件的晶圓廠行列。
芯聯集成，這家2018年從中芯國際特色工藝事業部脫胎而出的企業，以晶圓代工為基石，逐步向上游設計服務與下游模組封裝延伸。歷經六年多的沉淀與積累，如今已成為國內車規級IGBT芯片、SiC MOS以及MEMS傳感器芯片的領頭羊。其碳化硅芯片更是受到多家頭部新能源車企的青睞，助力公司在汽車芯片市場占據一席之地。
隨著6英寸向8英寸的跨越，碳化硅器件的成本與產能問題逐漸凸顯。8英寸碳化硅晶圓的出現，無疑為行業帶來了降低成本、提升產能的新契機。然而，這一技術的突破并非易事。芯聯集成總經理趙奇指出，解決碳化硅襯底在生產中的翹曲問題是關鍵所在。盡管面臨技術挑戰，但芯聯集成通過與供應商的緊密合作，已成功攻克難題，實現了8英寸碳化硅器件的量產。
在持續推動碳化硅技術創新的同時，芯聯集成也在積極拓展其產品線與應用領域。高壓模擬IC與BCD平臺的研發成功，進一步鞏固了公司在功率器件與模擬IC領域的市場地位。芯聯集成還瞄準了AI與數據中心等新興市場，通過大力投入研發，已成功推出多款適用于AI服務器多相電源的芯片產品。
芯聯集成在發展過程中始終堅持以客戶需求為導向，通過不斷提升產品性能與服務質量，贏得了眾多客戶的認可與信賴。其在國內率先投產8英寸碳化硅的舉動，更是為公司贏得了市場的先機與口碑。
當前，全球半導體產業正處于變革與發展的關鍵時期。芯聯集成憑借其在碳化硅等前沿技術領域的深厚積累與持續創新，正努力在這場變革中搶占先機，為推動我國半導體產業的自主可控發展貢獻力量。
