疫情的到來，給存儲器行業摁下了“加速鍵”。辦公、教學等領域的線上轉型，以及AI、5G、物聯網等新技術的發展，使得全球數據量出現“爆炸性增長”，存儲器也成為2020年表現最好的領域。據Gartner統計數據顯示，2020年全球存儲器較2019年收入增加135億美元，占2020年整個半導體市場收入增長的44%。存儲器約占整個半導體行業產值的27%。據IDC預測，2025年全球數據將有 175 ZettaBytes的總量。如此驚人而又龐大的數據量，半導體存儲器將具有極大的市場。
英特爾 3D NAND技術引領存儲行業新未來
近年來，NAND Flash在發展過程中逐漸由平面結構升級為三維架構，通過工藝技術的提升，可以逐漸增加存儲單元的層數，實現在單位面積下更高的存儲容量。隨著15/16nm部件的全面投產，推出了3D / V-NAND產品。在浮動門存儲器技術領域不斷推陳創新的英特爾采用了不同的布局理念，提供了更大的數據密度，全球首家推出采用144層存儲單元QLC/TLC PCIe 3D NAND固態盤，再一次引領了存儲器領域的發展未來。
與其他廠家不同的是，英特爾一直致力于通過最高面密度，為閃存的應用實現更好的經濟效益。
一款SSD的可靠性、性能以及成本，很大一部分取決于后端NAND顆粒，另一部分取決于主控和固件的架構優化程度。得益于Intel NAND的多項先進技術，Intel SSD目前是市場上可靠性最佳的產品，在各大互聯網數據中心里部署占比也是最高的。
相比較傳統柵極技術達到128-層TLC，英特爾通過浮動柵極技術實現144-層TLC，加上陣列下CMOS實現最高面密度，通過更小的FG單元和更高效的陣列的技術搭配，實現面密度提高10%，同時每個晶圓可以承載更高的GB，做到容量擴大和制造效率的提高。英特爾正是憑借QLC/TLC 3D NAND在行業占據了領先地位。
D7-P5510：釋放數據能力的新選擇
作為全球首款144層TLC NAND設計的英特爾固態盤D7-P5510，為企業和云環境帶來了低延遲、增強的管理能力、可擴展性和關鍵的全新NVMe功能。D7-P5510在設備健康狀況監控方面進行了較大改善，為多租戶和虛擬化環境提供了更大的靈活性，并且具備專為支持云工作負載而優化的新算法和功能?？勺鳛樵拼鎯Φ拇笕萘刻娲援a品，幫助加速各種云數據中心工作負載，滿足日益增長的高強度I/O 工作負載需求。
D7-P5510在TLC閃存上啟用了pTLC模式，從而確保更高寫入耐久度和更快寫入速度的需求。與上一代英特爾固態硬盤相比，經過性能優化的D7-P5510帶來了高達2倍的序列讀取性能提升，降低50％的延遲，并在讀寫混合場景下的IOPS提升了50%。另外在耐久度，TRIM時間等規格上均有不同程度的提升。
同時，通過固態盤驅動控制器將寫入均勻分布到盤上，可以避免一些單元受到反復沖擊。D7-P5510提供了更大的 “表面積” 來分配寫入，從而減少整體退化，從而進一步提升了耐久性和壽命。
除此之外，D7-P5510還特別進行了大量固件增強，從而大大提升提高IT效率和數據安全性。
擴展的LBA格式支持為托管軟件提供了靈活性。
SGL技術通過消除主機數據對齊的需求來提高性能。
增強的SMART監控功能，增強設備檢查功能包括SMART檢查、易失性內存備份、NVM完整性、驅動器壽命等檢查。
Telemetry實現了對大范圍存儲數據的訪問，并支持加速的認證周期，從而提高IT效率。
支持 TCG Opal 2.0、可配置命名空間鎖定、清潔和格式化NVM等額外的安全功能。
具有內置自檢功能PLI保護方案可在系統突然斷電時防止數據丟失。結合業內領先的端到端數據路徑保護方案，可使部署到數據恢復中心更便捷高效。
依靠嚴苛的質量和極致的產品可靠性D7-P5510可以確保在溫存儲中大規模部署。對于適應場景來說，針對需要快速訪問大型數據集的讀取密集型工作負載進行了優化，更加適合云存儲、AI、CDN、HCI、HPC等。此外，大規模整合存儲空間，從而大幅降低TCO。在耐久性、性能、質量和可靠性、成熟度等多方面，D7-P5510表現出色不失為云存儲以及企業數字化應用的最佳選擇。
結語
英特爾持續在NAND上的投入和創新，使得英特爾的SSD將繼續成為企業數據中心的首選。寶通集團作為英特爾中國區總代理，將利用自身豐富的產品資源及技術服務優勢為廣大企業用戶提供更好的支持和基于英特爾SSD產品存儲解決方案和優質售前售后服務支撐。
