3月份Intel新任CEO帕特·基辛格宣布了全新的IDM 2.0戰略，其中主要內容就是投資200億美元在美國建設2座新的晶圓廠。9月24日，基辛格駕駛挖掘機正式給新項目奠基，2024年這些工廠要首發量產20A埃米工藝。
美國亞利桑那州是Intel晶圓生產的重鎮，算上這次的投資，Intel公司40多年來已經在該地區投資了500億美元，CEO基辛格表示這次的投資代表著Intel致力于在該領域長期投資，幫助美國半導體重回領先地位。
該投資計劃預計將創造3000多個高技術、高薪酬的長期工作崗位，以及3000多個建筑就業崗位和大約15000個當地長期工作崗位。
Intel公布了這里兩座晶圓廠的細節，分別會命名為Fab 52、Fab 62，并首次透露這些工廠將會在2024年量產20A工藝——這與之前預期的不同，原本以為會量產的是Intel 4這樣的下兩代工藝。
Intel 20A工藝是今年7月份才公布的，是Intel 10/7/4/3工藝之后的升級版，而且首次進入后納米時代，直接用了埃米（A代表的是 ngstrom，1納米等于10埃米），技術細節美公布，但字面意義上看20A差不多就是2nm工藝的級別，符合3nm之后的摩爾定律升級規則。
20A工藝除了EUV光刻工藝之外，還會有2大黑科技——R ibbonFET及PowerVia。
根據Intel所說，RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實現，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。該技術加快了晶體管開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，但占用的空間更小。
PowerVia是Intel獨有的、業界首個背面電能傳輸網絡，通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。
按照規劃，20A工藝預計會在2024年量產，屆時臺積電的2nm工藝應該也會問世，Intel的工藝再次回到最先進水平。
【來源：驅動之家】
