英特爾今年三月份舉辦了主題為“英特爾發(fā)力：以工程技術(shù)創(chuàng)未來(lái)”的全球直播活動(dòng)中，CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）分享了“IDM 2.0”愿景，創(chuàng)建了英特爾代工服務(wù)（IFS），這是英特爾IDM模式的重大革新。為了加速實(shí)現(xiàn)IDM 2.0戰(zhàn)略，英特爾將大幅度擴(kuò)大產(chǎn)能，投資約200億美元在美國(guó)亞利桑那州的Octillo園區(qū)新建兩座晶圓廠。
經(jīng)過(guò)了半年的籌備工作，近日英特爾舉行了新晶圓廠建造的奠基儀式，帕特-基爾辛格與當(dāng)?shù)刂饕賳T也將出席這次活動(dòng)，這是美國(guó)亞利桑那州歷史上最大規(guī)模的私營(yíng)部門投資。預(yù)計(jì)兩間新晶圓廠最晚會(huì)在2024年建成并投入使用，英特爾將其命名為“Fab 52”和“Fab 62”，與Octillo園區(qū)現(xiàn)有的四間晶圓廠的位置非常接近。
在儀式上，帕特-基爾辛格表示該項(xiàng)目投資超過(guò)了200億美元，使得英特爾有能力創(chuàng)建下一代EUV生產(chǎn)線，為制造先進(jìn)芯片技術(shù)提供更多動(dòng)力，以支持英特爾重新獲得“工藝和封裝技術(shù)方面的領(lǐng)導(dǎo)地位”。同時(shí)兩間晶圓廠將為亞利桑那州創(chuàng)造數(shù)千個(gè)新工作崗位，并為北美地區(qū)提供超過(guò)15000個(gè)間接工作崗位。
據(jù)了解，兩間新晶圓廠未來(lái)將使用Intel 20A工藝技術(shù)，會(huì)利用RibbonFET和PowerVia兩項(xiàng)技術(shù)。RibbonFET是對(duì)Gate All Around晶體管的實(shí)現(xiàn)，將成為英特爾自2011年推出FinFET以來(lái)的首個(gè)全新晶體管架構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動(dòng)電流，但占用的空間更小。PowerVia是英特爾獨(dú)有的、業(yè)界首個(gè)背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)，通過(guò)消除晶圓正面供電布線需求來(lái)優(yōu)化信號(hào)傳輸。在Intel 20A工藝技術(shù)上，英特爾還會(huì)與高通進(jìn)行合作。
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