長江存儲宣布128層堆疊的3D NAND閃存研發(fā)成功，有X2-6070這款擁有目前業(yè)界已知最大單位面積存儲密度、最高I/O傳輸速度以及最高單顆NAND存儲芯片容量的3D QLC，以及128層堆疊的3D TLC X2-9060。在2018年的閃存峰會上，長江存儲正式推出了Xtacking架構(gòu)3D閃存，當時還是32層堆疊，僅用三年時間就變成了128層堆疊，效率相當高。
近日，Tech Insights對Asgard（阿斯加特）最新的AN4 1TB SSD（基于PCIe 4.0標準）進行了拆解和分析，這款產(chǎn)品是長江存儲128層堆疊3D NAND閃存的首次商業(yè)應(yīng)用。
長江存儲的128層堆疊產(chǎn)品采用的Xtacking架構(gòu)已經(jīng)全面升級至2.0，可進一步釋放3D閃存的潛能，其基于電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲技術(shù)，可在1.2V Vccq電壓下實現(xiàn)1.6Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率。目前長江存儲的Xtacking 2.0架構(gòu)用于制造128層堆疊的512Gb TLC芯片，以及128層QLC 3D NAND芯片。
拆解的AN4 1TB SSD采用了長江存儲128層堆疊的512Gb TLC芯片，尺寸為60.42平方毫米，位密度增加到8.48 Gb/平方毫米，相比Xtacking 1.0架構(gòu)的芯片（256Gb）提高了92%。長江存儲Xtacking混合鍵合技術(shù)使用了兩片晶圓來集成3D NAND器件，因此可以找到兩個die，一個用于NAND陣列芯片，另一個用于CMOS外圍芯片。其單元結(jié)構(gòu)是由兩個層板組成，通過層板接口緩沖層連接，與鎧俠的112層堆疊的BiCS 3D NAND閃存在結(jié)構(gòu)上的工藝相同。
與三星（V-NAND）、美光（CTF CuA）和SK海力士（4D PUC）的現(xiàn)有128層堆疊的512Gb 3D TLC NAND閃存產(chǎn)品相比，長江存儲的裸片尺寸更小，這使得它擁有最高的密度。Tech Insights認為，長江存儲的128層堆疊工藝無論在容量、位密度還是I/O速度方面都足以與其他產(chǎn)品競爭，技術(shù)上已趕上其他領(lǐng)跑者。
【來源：超能網(wǎng)】
