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SK海力士宣布,已經(jīng)全球首家成功完成新一代HBM3內(nèi)存的開發(fā),擁有迄今最大容量、最高帶寬。

HBM3已經(jīng)是HBM系列高帶寬內(nèi)存的第四代標準,之前三代分別是HBM、HBM2、HBM2E,其中SK海力士的HBM2E在去年七月全球首家投入量產(chǎn)。AMD MI200計算卡、NVIDIA A100計算卡、Intel Sapphire Rapids處理器等都集成了大容量HBM2E,最多80GB。

SK海力士的HBM3內(nèi)存提供兩種容量,一是16GB,二是24GB,后者創(chuàng)下新紀錄,內(nèi)部通過TSV硅穿孔技術(shù)堆疊了多達12顆芯片,但是厚度依然控制在大約30微米,相當(dāng)于一張A4紙的三分之一。

單顆帶寬提升到819GB/s,相比于HBM2E增加最多達78%,一秒鐘就可以傳輸163部5GB容量的高清電影。

另外,HBM3還內(nèi)置了ECC數(shù)據(jù)錯誤校驗,可顯著提升穩(wěn)定性、可靠性。

SK海力士沒有披露HBM3內(nèi)存的出貨時間。

【來源:驅(qū)動之家】

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標簽:三星 英特爾 海力士 芯片 美國 韓國 華為 內(nèi)存
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