現在裝機，固態硬盤必可不少，早已取代傳統機械硬盤成為首選。而隨著電腦硬件的更新換代與技術革新，NVMe M.2 SSD慢慢取代SATA SSD成為市場的主流。近日，朗科推出旗下中高端定位的NVMe M.2 SSD--NV2000系列新品，采用PCIe Gen3.0x4和NVMe 1.4協議，我們拿到512GB版本，接下來一起看看它的性能表現吧？
在性能測試之前，先帶大家了解朗科NV2000 NVMe M.2 SSD是一款怎樣的產品？
朗科NV2000 NVMe M.2 SSD開箱：
▲朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的外包裝
朗科NV2000 NVMe M.2 SSD采用全新品牌包裝設計，主體深灰色搭配一抹紅色點綴，更具現代感與科技感。包裝盒正面有一個小櫥窗，透過小窗口，讓消費者直觀看到產品。此外，包裝正面還能讀到一些關鍵信息，比如NVMe M.2固態硬盤，PCIe Gen3x4接口，2280的尺寸。
朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的寬度為22mm，長度為80mm，標準的產品尺寸，兼容性沒問題，目前帶M.2插槽的臺式機主板都能裝，而且筆記本也能用。
朗科NV2000 NVMe M.2 SSD雖然不配備獨立的緩存芯片，但是它所采用的NVMe協議是支持HMB（Host Memory Buffer主機內存緩沖）技術，確保了性能的發揮。這一點SATA SSD是不具備的。
朗科NV2000 NVMe M.2 SSD是走PCIe Gen3.0x4通道，要安裝在對應的M.2插槽上，才能發揮出性能優勢。
作為朗科旗下定位中高端的M.2 SSD，朗科NV2000 NVMe M.2 SSD提供5年質保，比普通SSD三年的質保時間更長，讓消費者使用更放心，也從側面體現朗科對于這款產品的品質抱有十足的信心。
撕掉產品正面標簽，可以看到PCB板的正面布置一顆主控芯片以及4顆閃存芯片，沒有看到緩存芯片。背面則是空白的，這種單面PCB布局，對于輕薄筆記本電腦的升級十分友好。
▲朗科NV2000 NVMe M.2 SSD采用Realtek 的RTS5765DL主控芯片。
Realtek（瑞昱）是一家知名的半導體企業，估計大家對“小螃蟹”網絡芯片及音頻芯片早已耳熟能詳。近年來Realtek入軍固態硬盤的主控芯片領域，推出的RTS5765DL主控得到了廣泛運用。這是基于HMB（Host Memory Buffer）技術的DRAM-Less控制芯片，可以匹配最新NAND閃存，具備出色的數據安全性和LDPC糾錯能力。
▲朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的閃存芯片，采用了4顆，單顆128G，組成512G容量。
用Realtek Flash ID識別軟件，可以看到這是YMTC TLC閃存。YMTC即長江存儲，根據顆粒的規格信息，可以判斷這是長江存儲最新64層堆疊的TLC閃存。其采用自研的Xtacking堆棧結構，核心容量256Gb，擁有著不錯的性能表現。目前眾多的國產SSD品牌都采用該款閃存顆粒。
測試平臺說明：
CPU：Intel Core i7-11700F （所有CPU節能特性關閉）
主板：七彩虹iGame Z590 Vulcan X
顯卡：影馳名人堂RTX 3080 Ti
內存：威剛XPG D50 DDR4-3600 8Gx2
硬盤：金士頓KC2000 500G（系統盤）
測試盤：朗科NV2000 M.2 512G（從盤，空的）
系統：Windows 10專業版
驅動：系統默認stornvme
設置：關閉寫入緩沖區刷新，電源項開啟高性能模式
CrystalDiskInfo軟件中，可以看到朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的固件為VC0S0303，傳輸模式PCIe 3.0x4，標準NVM Express 1.4。讀取量及寫入量都是0，證明這是一塊新盤。
基準性能測試：
基準測試1：CrystalDiskMark測試
在CDM測試中，朗科NV2000 NVMe M.2 SSD持續讀寫速度為2558、1981MB/s，4K隨機讀寫QD1達到53MB/s、164MB/s，這成績在一眾PCIe 3.0x4 SSD中，處于中高端的水準，雖說離旗艦定位的產品有一定差距，但比起SATA SSD強太多。
AS SSD Benchmark測試，在4K-64Thrd測試項目上，跑出185K、255K 隨機IOPS讀寫，比SATA SSD高出一個等級，在應付大型游戲、圖形渲染、專業設計等重負載場景，這么高的IOPS，才能夠游刃有余。
基準測試3：ATTO
ATTO測試中，測試了不同數據塊大小的傳輸速度，從0.5KB到8192KB。
從64KB數據塊開始，朗科NV2000 NVMe M.2 SSD就展現出高速表現，并且能維持穩定的高速讀寫，基本無波動。
基準測試4：PCMark8
PCMark8有專門硬盤測試項，測試項目包括 《魔獸世界》和《戰地3》的游戲載入測試，Photoshop，Adobe InDesign，Adobe After Effects，Adobe lllustrator，微軟Office Word、Office Excel以及Office PowerPoint等十項測試。
朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的PCMark8得分為5063分，存儲帶寬563.92MB/s，這個成績如何呢？我之前測試了一塊三星970EVO Plus 1TB，是一款旗艦定位PCIe Gen3.0x4 M.2 SSD，它的PCMark8得分5074分，存儲帶寬582.52MB/s。這兩款SSD價格差一大堆，但是成績相近，朗科NV2000 NVMe M.2 SSD一樣能夠應付高強度、重負載的讀寫場景。
SLC Cache緩存測試：
在空盤的情況之下，朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的SLC緩存容量約為180GB，考慮到無外置緩存設計，大容量SLC緩存空間在一定程度上能夠保證它性能的表現。面對長時間高負載讀寫時，表現將更為從容。
進階項目：4KB QD32 隨機寫入離散度測試
用IOMeter軟件連續對SSD進行半個小時的高強度寫入。設定: QD隊列深度32；100%的隨機寫入；每秒記錄一個數據，得到數據分布圖如下：
在測試過程上，朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的數值波動在15000-22000 IOPS值之間，沒有出現那種大起大落，波動特別大的現象。這說明在應付高強度讀寫時，這款SSD的穩定性表現是不錯的。像一些山寨盤，閃存顆粒品質不行，可能會出現歸0或者數值突然掉得特別低的情況，這將嚴重影響讀寫的效率，也不適合重度負載。
Trim與GC測試:
空盤時的性能，寫入較為平穩。
使用IOMeter對SSD全盤進行半小時的4K QD32隨機寫入后，立即測試。這時經歷了重度負載之后，性能衰減近一半，波動較大，平均寫入值從741MB/s跌到361MB/s。
閑置了一個小時，寫入速度恢復到561MB/s，說明這盤的垃圾回收能力不錯。既管長時間重度負載，也可以在較短時間恢復正常性能。
再分區格式化，進行全盤TRIM，朗科NV2000 NVMe M.2 SSD就恢復空盤時的速度。
總結：
朗科NV2000 NVMe M.2 512G SSD的持續讀寫速度能在2500、2000MB/s左右，4K隨機讀寫也是中高端的水準。此外有大容量的SLC緩存空間，保證大容量/高強度寫入時，不易掉速。在重度負載測試時，也看到它可靠的一面。
朗科NV2000 NVMe M.2 SSD采用Realtek RTS5765DL主控+長江存儲64層TCL閃存的方案，是業界較為成熟方案，提供長達5年質保，誠意滿滿。總得來說，這樣一款NVMe M.2 SSD，不管是新平臺裝機還是舊平臺升級 ，都是不錯的選項之一。
