12 月 25 日消息，根據(jù)芯智訊報道，中國集成電路設(shè)計業(yè) 2021 年會暨無錫集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇于 12 月 22 日舉辦。臺積電（南京）有限公司總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球做了主題為《半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新時代》的主題演講。
羅鎮(zhèn)球宣布，雖然有很多人說摩爾定律在減速或者在逐漸消時，可事實上臺積電正在用新工藝證明了摩爾定律仍在持續(xù)往前推進。臺積電的 7nm 工藝是在 2018 年推出的，5nm 在 2020 年推出，在 2022 年會如期推出 3nm 工藝，而且 2nm 工藝也在順利研發(fā)。
根據(jù)臺積電展示的路線圖，從 5nm 工藝至 3nm，晶體管邏輯密度可以提升 1.7 倍，性能提升 11%，同等性能下功耗可以降低 25%-30%。
如何在未來實現(xiàn)晶體管的進一步微縮，羅鎮(zhèn)球透露了兩個方向：
1、改變晶體管的結(jié)構(gòu)：三星將在 3nm 制程采用全新的“環(huán)繞柵極晶體管”（GAA）結(jié)構(gòu)，而臺積電 3nm 依舊采用鰭式場效晶體管（FinFET）結(jié)構(gòu)。不過，臺積電研發(fā) Nanosheet / Nanowire 的晶體管結(jié)構(gòu)（類似 GAA）超過 15 年，已經(jīng)達到非常扎實的性能。
2、改變晶體管的材料：可以使用二維材料做晶體管。這會使得功耗控制得更好，而且性能會更強。
IT之家了解到，羅鎮(zhèn)球還表示未來將運用 3D 封裝技術(shù)來提高芯片的性能，降低成本。目前，臺積電已經(jīng)將先進封裝相關(guān)技術(shù)整合為“3DFabric”平臺。
除此之外，臺積電還將在 ADAS 和智能數(shù)字駕駛艙的汽車芯片應(yīng)用 5nm 工藝平臺“N5A”，預(yù)計將在 2022 年第三季度推出，能夠符合 AEC-Q100、ISO26262、IATF16949 等汽車工藝標(biāo)準(zhǔn)。
【來源：IT之家】
