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2022年的ISSCC國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)(國(guó)際三大半導(dǎo)體頂級(jí)會(huì)議之一)將于2月24日舉行,廠商會(huì)在這次大會(huì)上展示最新的半導(dǎo)體制造技術(shù),其中SK海力士會(huì)介紹最新的HBM3內(nèi)存技術(shù),帶寬從此前的819GB/s提升到896GB/s。

HBM3已經(jīng)是HBM系列高帶寬內(nèi)存的第四代標(biāo)準(zhǔn),之前三代分別是HBM、HBM2、HBM2E,其中SK海力士的HBM2E在2020年七月全球首家投入量產(chǎn)。

SK海力士去年8月份就首發(fā)了HBM3內(nèi)存,提供兩種容量,一是16GB,二是24GB,后者創(chuàng)下新紀(jì)錄,內(nèi)部通過(guò)TSV硅穿孔技術(shù)堆疊了多達(dá)12顆芯片,但是厚度依然控制在大約30微米,相當(dāng)于一張A4紙的三分之一。

當(dāng)時(shí)的HBM3內(nèi)存帶寬是819GB/s,這次在ISSCC大會(huì)上展示的則是更快的新品,帶寬提升到了896GB/s,增長(zhǎng)了9%。

要知道AMD在2015年首發(fā)的第一代HBM內(nèi)存中,4顆HBM、等效4096bit位寬才獲得了512GB/s的帶寬,現(xiàn)在HBM3一顆帶寬就幾乎翻倍。

可惜的是,HBM3內(nèi)存越來(lái)越貴,除了數(shù)據(jù)中心GPU/CPU之外,消費(fèi)級(jí)顯卡、處理器上恐怕是見(jiàn)不到了。

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