臺積電（TSMC）目前正在N3制程節點上開發多個工藝，包括了N3、N3B和N3E。去年臺積電總裁魏哲家表示，N3制程節點仍使用FinFET晶體管的結構，推出的時候將成為業界最先進的PPA和晶體管技術，同時也會是臺積電另一個大規模量產且持久的制程節點。
據TechPowerup報道，近期摩根士丹利的報告指，在N3基礎上擴展的N3E已提前準備好了，工藝流程可能會在這個月底確定。臺積電原計劃在2022年下半年量產N3制程節點，N3E作為3nm工藝中的簡化版本，量產時間為2023年下半年。由于N3E測試生產的時候良品率較高，臺積電希望能更早地實現商業化，可能會提前到2023年第二季度。
據了解，N3E在N3基礎上減少了EUV光罩層數，從25層減少到21層，邏輯密度低了8%，但仍然比N5制程節點要高出60%。此外，N3E的良品率也高于N3B，后者傳言是針對某些客戶使用而開發的N3改進版本，不過目前缺乏相關信息。無論N3E還是N3B，都不是用于取代N3，只是讓客戶有更多的選擇，在不同產品上有更好的性能和功耗表現。
芯片測試設備制造商Teradyne表示，2023年對3nm芯片的需求會有明顯的增長，雖然像蘋果這樣的公司最早在2023年初就能得到首批3nm芯片，但其他廠商最快可能在2023年下半年就能跟進。
【來源：超能網】
